双极场引晶体管ⅳ.短沟道飘移扩散理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistoriv.short channel drift-diffusion current theory(two-mos-gates on pure-base).pdfVIP

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2017-08-14 发布于上海
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双极场引晶体管ⅳ.短沟道飘移扩散理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistoriv.short channel drift-diffusion current theory(two-mos-gates on pure-base).pdf

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双极场引晶体管ⅳ.短沟道飘移扩散理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistoriv.short channel drift-diffusion current theory(two-mos-gates on pure-base)

第29卷第2期半导体学报 v01．29No．2 2008年2月 JoURNALoFSEMICoNDUCToRS Feb．，2008 The Field—Effect Bipolar Transistor： IV．ShortChannelDrift-DiffusionCurrent Theory (Tw0_MOS-GatesonPure-Base)’ JieBinbinl”andSah Chih-Tan91’2，3’’ (1 100871，China) PekingUniversity，Belting (2 Florida，Gainesville。Florida32605，USA) Universityof (3Chinese 100864，China) AcademyofSciences，Foreign Member，Beijing Abstract：This theshortchannel ofthe field-effect thedrift papergives analyticaltheory bipolar anddiffusioncurrents inthe which the inthelast-month separatelycomputedanalyticaltheory．As paper represented driftanddiffusioncurrentthe two-dimensionaltransistoris by single intotwo sourceanddrain can astheelectronorholeemitterorcollector partitionedsections，the sections，eachoperate under combinationsof terminal isthen inthesourceanddrainsec． solution obtained specific applied voltages．Analytical tions thetwo-dimensional into trap-free twoone-dimensional byseparating Shockl