双势垒量子阱薄膜力电耦合特性实验 mechanical-electrical coupling of double-barrier quantum well membrane.pdfVIP

第28卷第8期 半导体学报 Vot．28No．8 2007年8月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCTORS Aug．．2007 双势垒量子阱薄膜力电耦合特性实验’ 谢斌+ 薛晨阳 张文栋熊继军 张斌珍 (中北大学电子测试技术国家重点实验室，太原030051) 在(110)与(110)方向单轴压应力作用下的力电耦合实验，测试出量子阱薄膜在室温下随着外加压力变化的厶y曲 线测试结果表明：量子阱薄膜Ly曲线的共振峰在(110)方向单轴应力作用下向正偏压方向漂移，在(1To)方向应 力作用下向负偏压方向偏移，并分析了量子阱薄膜力电耦台效应的物理成因．该结果与基于量子阱力电耦合特性 的介观压阻理论的研究结果相吻合． 关键词：纳机电器件 力电耦合；单轴压力；双势垒量子阱 PACC：0300；0630N 2 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007】08．1211．05 方向的单轴压力，使量子阱薄膜内产生相应的应力， 1前言 并用激光喇曼测试仪标定了材料的应力值，同时用 半导体特性测试仪测试出不同应力值所对应的^y 随着材料研究的深人，一些纳米材料展现出全 曲线，从而分析力学信号对量子阱薄膜电学信号的 新的物理性能、物理效应．新一代基于这些新原理、 影响，即力电耦合特性分析． 新效应的纳机电器件呼之欲出．当器件的特征尺寸 达到纳米量级，各种因为尺度变小而产生的效应(包 2基本理论 括量子效应)就会凸现出来，在机电结构中的力电耦 合特性更加显著，纳米尺度的力学问题也会体现出 2．1量子阱薄膜微分负阻特性 新的特征和新的性能“]． 超晶格量子阱的概念是在1970年提出后，随着 微分负阻是一种反常的Ly特性，即在一段区 分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积域内电流随着电压的增大反而减小，一般称该区域 (MOCVD)技术及各种刻蚀技术的突破性进展，至 为微分负阻区．量子阱是具有微分负阻特性的一种 今人们已经能够制造出各种各样的超晶格量子阱材 纳米薄膜结构，其基本结构为作为势垒层的宽带隙 料．由于超晶格量子阱材料可实现量子尺度效应， 材料中夹着纳米级势阱层窄带隙材料．从能带图上 并且能够通过改变合金的比例、阱、垒宽度，控制半 看，导带上形成了双垒一阱的结构，如图1所示． 导体的能带和物理特性，因此它具有广泛的应用 其中，结构的两端分别为发射极与集电极，宽 前景． 带隙材料层为势垒层，势垒之间夹着的窄带隙材料 近来，介观压阻理论研究发现：在满足一定的条 层为势阱层，E。为势阱的第一量子化能级，E，为发 件下，力场的作用同样可以影响量子阱共振遂穿效 射极的费米能级，E。为发射极导带底能级．在图1 应，使隧穿电流发生变化，此研究结果可用于力学信 中通过能带分析了量子阱薄膜的微分负阻特性形成 号的检测口“]．如果将超晶格薄膜集成于纳机电结 的物理成因： 构中便可构成新型纳机电系统．笔者通过具体实验 (1)当没有偏压时，E。≥Ef，不满足量子阱中电 验证了该理论的研究结果． 子发生共振的条件，因此没有隧穿电流． 本文采用MBE技术在GaAs衬底外延生长了(2)当给双势垒薄膜施加一定偏压后，E。E。