双向igbt理论模型及其封装形式可行性研究 research on theoretic model its package types of the bidirectional igbt.pdfVIP

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2017-08-14 发布于上海
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双向igbt理论模型及其封装形式可行性研究 research on theoretic model its package types of the bidirectional igbt.pdf

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双向igbt理论模型及其封装形式可行性研究researchontheoreticmodel

2009年lO月电工技术学报 V01．24NO．10 第24卷第lO期 TRANSACTl0NSOFCHINAELECTRoTECHNICALSOCIETY Oct． 2009 双向IGBT理论模型及其封装形式可行性研究陈明保 (海南省工业学校五指山 572200) 摘要针对常规IGBT在应用中存在的一些不足，提出了一种五层四端结构的新型双向IGBT 功率半导体器件，其核心是以平面栅型IGBT为基础，通过对新器件采取对称结构和两路输入控制的方法，从而达到对新器件双向控制的目的。文中详细分析了它的原理，首先推导该双向IGBT 的理论模型及其控制策略，然后建立实验电路验证，最后对该双向IGBT的封装形式做了一定的探讨。综合分析的结果表明，该双向IGBT具备双向导通和双向阻断能力，文中提出的双重关断方案，不但能有效减小器件在关断时的拖尾电流，还能提高器件的工作频率。关键词：双向IGBT理论模型双重关断封装功率器件矩阵式变换器中图分类号：TN303 ResearchonTheoreticModel＆Its of PackageTypes theBidirectionalIGBT Chen Mingbao (HainanIndustrialSchoolWuzhishan572200China) AbstractDuetothedefectsinthe ofnormalIGBT．anew semiconductor applications power devicebasedonfive fourendsstructureofthebidirectionalIGBTis forward．Itsmainis layers put part a oftheIGBT．usedthe basedon structureandtwo controlof plane waysinput gate strategy symmetry the on isattained．Theiris bidirectionalIGBT，andthe basedbidirectionalcontrol purposes principles in isfirstdeducesthetheoreticmodelandcontrol ofthebidirectionalIGB detail，it T， analyzed strategy thenestablishesand the circuitofthebidirectionalIGBT．studiesthe of proofedexperimental footprints thebidirectionalIGBTinthe