双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究 temperature distribution analysis of tunnel regeneration semiconductor laser with two active regions.pdfVIP

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2017-08-14 发布于上海
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双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究 temperature distribution analysis of tunnel regeneration semiconductor laser with two active regions.pdf

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双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究 temperature distribution analysis of tunnel regeneration semiconductor laser with two active regions

《半导体光电》2007年12月第28卷第6期张蕾等：双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究光电器件双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究张蕾1’2，崔碧峰1，黄宏娟1，郭伟玲1，王智群1，沈光地1 (1．北京工业大学光电子技术实验室。北京100022；2．北京跟踪与通信技术研究所，北京100094) 摘要：针对隧道再生半导体激光器，建立了内部的热源分布模型，分析了三种封装方式对芯片内部温度分布的影响；模拟结果表明加电后几微秒的时间内，芯片内温度场分布主要由隧道再生结构的热特性决定，与封装形式关系不大；在几微秒到几十或一百毫秒的时间范围内，有源区的温度上升很快；几百毫秒以后，器件温度达到稳态，有源区的平衡温度主要决定于载体的散热特性。稳态时靠近衬底的有源区温度高于靠近热沉的有源区的温度，但两有源区的温差很小，芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的脊形中心。关键词：半导体激光器；二维温度分布；瞬态；稳态；隧道再生；封装 248．4 中图分类号：TN DistributionofTunnel SemicOnductorLaser Temperature Analysis Regeneration withTwoActiVe Regions ZHANGLeil”，CUI uanl，GUO Bi_fen91，HUANGHong_j Wei-lin91，、^ANGZhi一小m1，SHENGuang—dil of 100022，CHN； (1．0pt0-ElectronicTechn0109yLaboratory，BeijingUniVersityTechnolog)r，Beijing Instituteof 100094，CHN) 2．BeUing Tracking卸dTelecommunica￡i彻Technology，Beijjng Heatsourcedistributionoftunnel semiconductor1aserhasbeen Abstract： regeneration distributioncausedthreedifferentsink were presented．Temperature changes by packagings Itisfoundthatinthe beforeseveralmicrosecondsthe increaseis discussed． range temperature smalland determinedthethermal ofthediode Inthe nearlyexclusively by properties chip． range betweenseveral andsometentohundredmillisecondsthe oftheactive microseconds temperature increases Atsomehundredmillisecondsa thermaldistribution regions significantly．