PVD技术在CCL中的应用研究.pdfVIP

一铜箔与层 - — 一 一 0 er Fo P V D技术在C C L中的应用研究 严光能 (比亚迪股份有限公司，广东深圳 518119) 摘 要 文章论述了运用先进的物理气相沉积 (PVD)制造薄铜箔覆铜板技术，提供了新的电路板材。 关键词 电路板；物理气相沉积；2FCCL 中图分类号：TN41 文献标识码：A 文章编号：1 009—0096(2008)O2—0028—04 Application Research on PVD Technology in CCL Fields YAN Guang—neng Abstract The paper describes the copper foil CCL with PVD technology．it is a now material for PCB production． Key words PCB；PVD；2FCCL 物理气相沉积 (PVD，Phi Si C a1 V aPO r 它不仅有利于PCB精细导线等的制造，还可以大大 Depo Sition)是在现代物理、化学、材料学、电 减少电解铜箔和PCB生产造成令人头痛的环境污染 子学等多学科基础上，经过多年的不断发展而成为 问题 (由于CCL的基铜可以薄到11．tm一21．tm，减少 一 门新兴先进的工程技术。它是将耙材 (需镀薄膜 了蚀刻和清洗产生的污染)。 材料)在较低的气体压力环境下，经过物理过程而 1 PvD在高端CCL的优势 。 进入气相直接沉积在衬底表面的过程。目前，PVD 1．1 在超薄铜箔COL的优势 沉积技术有蒸镀、磁控溅射和离子镀法三种。以中 多年来，以个人消费类为主的HDI技术向高 频磁控溅射为例，它是利用带有电荷的离子在电场 密、薄、小、轻的方向发展，移动电话、笔记 中加速后具有一定动能的特点，将离子引入欲被溅 本电脑已用含微细埋、盲通孔的多层板以及BGA、 射的物质做成的耙电极。在合适的离子能量条件 cSP等有机树脂封装基板，所用的铜箔正向薄箔 下，入射离子在与耙表面原子的碰撞过程中将后者 型、超薄箔型推进。同时，cO，激光蚀孔加工也 溅射出来。这些被溅射出来的原子带有一定的动 需要基板采用极薄铜箔，以便可以对铜箔层直接加 能， 并且会沿着一定的方向射向衬底，从而实现薄 工微线、微孔。目前，我国已有厚度为91．tm铜箔 膜的沉积。PVD是纯物理的纳米级薄膜沉积过程， 的CCL，它是通过将带载体反相处理与双面处理低 因此，在制造超薄基铜、低粗糙 (轮廓)度 (LP) 粗糙度电解铜箔与半固化片绝缘材料在高温压合而 CCL和超低粗糙度 (VLP)CCL具有绝对的优势。 成，属于中端产品，但是还没有 11．tm一31．tm厚度的 Printed Circuit Information印制电路信息2008 No．2 … … ‘… … … … … … … … … … … … … … … … … … … · · Copper Foil＆Laminate…………’ LP．CCL。通过PVD技术，可以制得从1帅 ～2gm厚 由上式可知：只有当z 与z 相等时，才不会 的高结晶致密度铜箔CCL 同时，由于铜箔可以薄 出现反射问题。为了更好地发挥PCB的传输功能， 到1~m~211m，间接减少了PCB生产中蚀刻和清洗产 PCB线的特性阻抗与搭载、互连在其上的Ic及元器 生的污染。 件本身的输入及输出阻抗，必须能够互相匹配，阻 1．2 PVD在高频COL应用的优势