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材料制备对H2S元件气敏特性的影响-OALib
30 5 () Vol.30 N .5
2002 10 Journal of Fuzhou University(Natural Science) Oct.2002
:1000-2243(2002)05-0543-04
H S
2
, , ,
(, 350002)
:H S .(CH )H [H (WO )]·H O WO ,
2 4 5 5 2 4 6 2 3
ZnS Al O H S 、.
2 3 2
X .
:;WO ;ZnS;H S;
3 2
:TP212.2 :A
Effect of different preparations on H S gas sensor sensitive properties
2
CHEN Wei, LIN Wei, HUANG Shi-zheng, HUANG Zha -xin
(GasesSensors Institute of Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350002, China)
Abstract :Comparing different kinds of preparation method, we have found thatH2S sensor made by fol-
lowing methord is better than the others.The nanosized materialofWO3 are prepared by thermal decom-
posing the recrystalized (CH4 )5 H5 [H2 (WO4 )6]·H2 O.And then we dope it with ZnS and Al2O3 .The
gas sensor made by the above material has high gas sensitivity t olow concentration of H S and g d se-
2
lectivity, it responses and recovers quickly.The structure and partical size of powder were detected by X
-ray diffraction.
Keywords:gas sensor;WO ;ZnS;H S;nanosized material
3 2
、
.H S H S , WO
2 2 3
H S , H S , 、.
2 2
WO3 、ZnS , (CH4 )5 H5 [H2
(WO4 )6]·H2 O WO3 H2 S ZnS H2S ,
H2 S 、.
1
2 :A B.A(B)
a(b).
WO .A:600 ℃WO .B:
3
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