自组装单分子膜的末端基团对化学气相沉积铜薄膜的影响.PDF

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自组装单分子膜的末端基团对化学气相沉积铜薄膜的影响

第26卷 第4期 材料科学与工程学报 总第114期 V01.26NO.4 ofMaterials Journal ScienceEngineeringAug.2008 文章编号:1673—281212008)04—0545—05 自组装单分子膜的末端基团对化学气相沉积铜薄膜的影响 刘铮铮,王琦,刘 鑫,包杰琼 (浙江大学化学系。浙江杭州310027) 到的铜薄膜的性质进行表征与分析。通过比较研究发现:在沉积过程中,SAMs的末端基团作为铜沉积的反应位 点.末端基团与铜之间的相互作用力越强,则铜在基材表面的沉积与附着能力越强,而且SAMs阻挡铜原子扩散进 入硅内部的效果越好。而SAMs的生长取向也会对铜沉积时的晶型产生影响。 【关键词】材料表面与界面;自组装单分子膜(SAMs);末端官能团;铜薄膜;化学气相沉积 中图分类号:TB43 文献标识码:A EffectsofTerminatedFunctionalof Groups on Films Chemical Monolayers Vapor—depositedCopper LIU Xin,BAOJ Zheng-zheng,WANGQi,LIU ie-qiong of 310027,China) Chemistry,ZhejiangUniversity,Hangzhou (Department self-assembled chemical filmswere on Si02substrates [Abstract]Copperdeposited monolayers(SAMs)modifiedby thenthe filmswerecharacterizedand showsthattheterminated vapordeposition(CVD),anddepositedcopper analyzed.It functionalofSAMsserveasthereactionsitesforthe interactionbetweenthe groups copperdeposition.Thestronger copper atomsthefunctionalofSAMsenhancesthe andtheinterfacialadhesionof filmontothe and copper groups deposition copper on the atoms intothesiliconsubstrateasadiffusion substrates,andalsoleadstoabettereffectinhibitingcopper diffusing ofdetermined barrier.The onSAM

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