试验4C-V法测量外延层杂质浓度.PPT

School of Microelectronics Xidian University School of Microelectronics Xidian University 实验4 C-V法测量外延层杂质浓度 实验目的和意义 ☆金半结肖特基二极管、检波管、变容管等，具有势垒电容随两端反向电压 线性变化而呈现非线性变化特点， 这种非线性变化恰好与半导体中掺杂的浓度 随结深分布有关。 ☆电容-电压法(C-V法)测量技术，可测得半导体PN结中的杂质分布。 ☆这种方法较二次谐波法，其原理简单，操作方便，测量精度高。 ☆实验目的：了解电容-电压法测量半导体中杂质分布的基本原理；学会函 数记录仪、C-V测试仪的使用方法;学会制作肖特基结并用C-V法测量半导体中杂 质分布。 实验原理 当半导体材料形成PN结时，在结的交界面就形成空间电荷区。这时在PN 结上外加变化的反向电压时，则空间电荷区也随着发生变化，即PN结具有电容 效应，称作势垒电容，其电容值正比于面积，反比于空间电荷区厚度( 相当于平 行板电容器两极板的间距)用公式表示为： C= Aεsε0/x 式中：A为结面积，εs为半导体材料相对介电常数，x为某一直流偏压下耗尽层 宽度并由下式决定： X= Aεsε0/C 实验原理 平行板电容和PN结势垒电容的主要区别在于前者的极板间距离为常数；后 者的PN结空间电荷区宽度不是常数，它随外加电压的变化而变化。PN 结势垒电 是偏压的函数C(V)。二极管势垒电容是指在一定直流偏压下，该电压有微小变化 △V时，相应电荷变化量△Q与△V的比值，称为微分电容，其微分形式为： C = dQ/dV 采用了“耗尽层近似”，对于单边突变结耗尽层基本上存在于低掺杂一边。 对于肖特基结具有和单边突变结类似的形式，则电荷的变化为： dQ = A·N(x)·q·dx 实验原理 其中N(X)为耗尽层X边缘处受主(或施主)杂质浓度。于是： c = dQ/dV = A·q·N(x)·dx/dv 将(1)式对电压V求导数后得到： dc/dv = dc/dx·dx/dv = -A·εs·ε0/x2 ·dx/dv 由上式得到： dx/dv =c/ A·q·N(x) 把上述式子得到浓度表达式： 实验原理 从上式可看到，当测得电容C、微分电容和结的面积时，就可求得耗尽层边 缘处的杂质波度N(x)。在不同的外加偏压下进行测量和计算，就能得到掺杂浓度 随结深的分布。本实验中与N型硅接触的金属是汞探针，当汞和N型硅接触时， 将会在N型硅一侧形成肖特基势垒，耗尽层基本在N型硅一侧，可以分别求出耗 尽层的厚度、掺杂浓度在N型硅中的纵向分布。本实验采用高频C-V测试仪，函 数记录仪及汞探针测N型硅外延层的杂质分布。 实验原理 实验测试方框图和测试原理图 实验原理 当高频小信号电压加到被测样品(被测势垒电容C)和接收机输入阻抗R上 时， 高频信号电压就被 C和R以串联形式分压，如果在样品两端再加上反向直流 偏压， 改变偏压时，势垒电容随反向偏压的增大而减小，其容抗随反向偏压增 大而增大，那么R两端的高频电压就随反向偏压的增大而减小。如果将R两端变 化的信号电压进行高放后经混频、中放、检测后送入函数记录仪的Y轴上， 该直 流偏压的变化就反映了样品的势垒电容的变化。另一方面，将加在样品两端的直 流偏压经分压并加在函数记录仪的X轴上，那么，在函数记录仪上直接可描绘出 样品的电容-电压特性曲线。 本实验内容是以汞和N型硅接触，构成肖特基势垒管并用C-V测试仪描绘其 电容-电压曲线。 实验主要步骤 ☆肖特基二极管的操作 (1)用无水乙醇棉球擦净样品台表面， 并在样品台上的小坑内用针管注入适 量的水，以保证样品衬底与平台欧姆接触，然后将清洗过的硅外延片放在小坑上。 (2)取下汞探针，用酒精棉球擦其端部，然后粘上适当的水银并将汞探针装 好。调整探针使其和样品接触。在显微镜下观察，汞和外延层接触面的直径为 1mm(与显微镜中两竖线间的距离相等)。这时肖特