试验设备与方法-国立交通大学机构典藏.PDF

第三章 實驗設備與方法 3-1 實驗設備 實驗設備的部分，包括設備工作原理與工作性能的介紹。大致上可以 分為製程設備與分析設備，分述如下: 3-1-1 製程設備 1. 慢速切割機 由於試片是由原物料的多晶塊材所切割，因此必須藉由合適的切割工 具來進行切割。多晶矽由於有許多的晶界，因此容易在切割時候產生滑移 而破裂。慢速切割機可調整合適的轉速與負重，避免切割時的破裂。切割 過程中，鑽石刀片會浸入切割液中，除 了可以潤滑切割面，另一方面可以 帶走切割時產生的粉末與餘熱。 2. 試片研磨機 多晶塊材為不規則狀，切割下來的片狀多晶矽必須經由研磨至合適的 大小方可使用(約 5 × 5 mm) 。由於試片的表面粗糙度對於後續的製程及結論 的判定影響極大，所以經由研磨機在多 道研磨條件下得到一個試片表面極 為平整的多晶矽試片，有關研磨程序在實驗方法中會再詳述。 3. 雷射標誌儀 雷射標誌儀在本實驗中扮演一個極為重要的角色。藉由雷射的標誌使 56 得可以在沈積鑽石的前後，依然可以精確的回到同一個區域對同一個花辦 圖案作後續的分析。本實驗所使用的雷射標誌機是元件分析時常用到的一 個工具，為 new-wave 公司所生產，可以設定不同波長的雷射(355~1064 nm) ，本實驗使用高效率綠光雷射作為雷射標誌的光源。 4. 微波電漿補助化學氣相沈積系統 本實驗用到的微波電漿補助化學氣相沈積系統品牌為 Astex 1.5 kW的 機台，有關微波電漿系統的特性在前面已有介紹，這裡大概介紹一下微波 電漿系統有哪幾大部分，分述如下 (如圖 3-1所示 ): (a) 微波產生器 (microwave generator) 主要功用為產生微波，最大功率可以加至 1250 瓦。產生頻率為 2.45 GHz的微波，再經由導波管將微波輸入反應室內點燃電漿。 (b)氣體反應室 由不鏽鋼所製成，可以承受高 溫。上方有石英罩隔絕，下方為可 以升降的不鏽鋼基座，在上方和旁邊有目視孔可以觀察電漿的情形。 (c) 反應氣體輸送系統 由 MKS所製造的質流控制器，可以將由氣瓶流出的甲烷與氫氣混 合後送入反應室內產生電漿。 (d) 壓力控制與真空系統 壓力的控制系統為 MKS 公司所製造，以控制節流閥門的角度調整 壓力値。真空系統主要由真空幫浦所構成，可以抽真空至 0.01 torr 。 57 (e) 偏壓裝置 本機台亦有加設直流偏壓系統(LABORATORY DC power supply GPR 50H10D) ，在進行鑽石沈積時施加負偏壓以增加鑽石沈積密度與 改善鑽石品質。 (f) 冷卻裝置 以循環水帶走電漿所造成的熱量，維持反應腔壁的溫度。本冷卻 系統在平時沒點燃電漿的情形下，設定持溫為25℃ ; 當電漿點燃時所 設定的溫度為 22℃。 3-1-2 分析設備 1. 光學顯微鏡 (optical microscope) 光學顯微鏡最大倍率一般不會超過 2000倍，光學顯微鏡在本實驗的用 途為試片研磨後初步的表面觀察與沈積鑽石後觀察是否可以觀察到因為多 晶矽基材的取向差異對鑽石沈積的影響 ，即後面所說花瓣狀圖形的產生與 否可以先用光顯微鏡作最初步的判斷。 2. x-ray晶體繞射儀 (x-ray diffractometer) 當 X 光對一組(h k l)的晶面產生繞射，其必要條件是必須符合布拉格定 律 (Bragg’s law) : 2dsinθ = nλ。n 為整數倍，λ為 X 光波長，因此可以解出面 間距，定出晶體方位。本實驗主要使用 Siemens D5000 X 光繞射儀，預先 定出多晶矽基材的晶向。由光譜圖中顯示本試片確實為多晶矽，由許多的 晶面所構成，狹小的半高寬 (FWTH)顯示本試片的晶粒尺寸極大，有關 X-ray 5