静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 () #% %$$’ #% ， ， ， MB8 0() RB 0 #% S:C:+H:T %$$’ （ ） #$$$52%’$N%$$’N() #% N)@(#5$@ .JG. PDQ,EJ. ,EREJ. %$$’ J?7 0 P?;U 0 ,BC 0 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟 ! 张科营 郭红霞 罗尹虹 何宝平 姚志斌 张凤祁 王园明 （西北核技术研究所，西安 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$’ # ( %$$’ #) 针对特征尺寸为 的国产静态随机存储器（ ），构建了三维 存储单元模型，并对重离子引起的 #*( + ,-./ ,-./ ! 单粒子翻转效应进行了数值模拟 计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像，得到了 ,-./ 0 器件的单粒子翻转截面曲线 单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微束、重离子宽束实验结果比较一致，表 ,-./ 0 明所建立的三维器件模型可以用来研究,-./ 器件的单粒子翻转效应0 关键词：三维数值模拟，单粒子翻转，微束，宽束 ： ， !## )($1 2$3 用 硅栅互补型金属氧化物半导体（ ）加 #*( + J/K, ! #* 引 言 固工艺设计，采用双层金属布线，其芯片尺寸为 图 是 存储单元 @ *2($ ++ L @ *$ ++ 0 # % 9H7I ,-./ 随着半导体工艺向深亚微米、超深亚微米方向 示意图 该 的电源电压为 ，采用双阱工 0 ,-./ * ) M 发展，电子元器件的单粒子效应更加严重 国内用于 艺，型外延层厚度为 ，掺杂浓度为 #) 0 + % L #$ N ! 2 ，阱和 阱的掺杂浓度