第七章(3学时)课件.ppt

本章要求;1、半导体存储器定义;※对存储器的操作通常分为两类：;半导体 存储器;地;……;字长：一个字中所含二进制数的位数。;1、腌膜ROM(固化ROM);地址代码：A1A0，给出4个不同的地址。 地址译码器将这4个地址代码分别译成W0～W3 上的高电平信号;数据表;若：将输入地址A1A0视为输入变量，而将D3、D2、D1、D0视为一组输出逻辑变量，则D3、D2、D1、 D0就是A1、A0的一组逻辑函数。 ;ROM的阵列框图;※用MOS管工艺制作ROM时，译码器、存储矩阵和输出缓冲器全用MOS管构成。;2、可编程ROM(PROM) ; 写入时，找出要写0的位置，加入编程的脉冲电平，使Aw输出低电平，有较大的脉冲电流流过熔丝，将其熔断。;3、可擦除的可编程ROM;（1）EPROM ;SIMOS管256×1 EPROM; Flotox管的结构和符号 ; E2PROM的存储单元（Flotox） ;E2 PROM存储单元的三种工作状态;（3） 快闪存储器(Flash Memory) ; 存储单元;4、随机存储器RAM;（1）随机存储器RAM的结构;A0;例：集成芯片2114;★每个由X，Y共 同选中的单元中 实际包含了4个1 位数据存储单元 表示4位数据。;（2）静态随机存储器SRAM;六管NMOS静态RAM存储单元;六管CMOS静态RAM存储单元;双极型RAM 的静态存储单元;（3）动态随机存储器DRAM;单管动态RAM基本存储单元电路;单管动态RAM基本存储单元电路;常用的E2PROM存储器有: 2816、2864、2817。 常用的EPROM存储器有: 2716、2764。;1．EPROM——2764;2．E2PROM 2816A Intel 2816A 是2K×8位E2PROM，数据读出时间为200～250nS，擦除和写入（同时进行）为10mS，读工作电压和写（擦）工作电压均为5V，故不需要专门的编程器，且可实现在线读写。;（1）引脚功能——有11根地址A10～A0，8根数据输入输出线I/O7～I/O0，片选线CE’，输出允许线OE’，写允许线WE’，工作电源Vcc。; 一片存储器的存储容量是一定的。在数字系统或 计算机中，单个芯片往往不能满足存储容量的需要， 因此就要将若干个存储器芯片组合起来，以扩展存 储器容量，从而达到要求。 RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。;1、位扩展;例1、 试用1024×1RAM扩展成1024×8存储器。; 电路图如下：;2、字扩展;例2、 试用256×8RAM扩展成1024×8存储器。;3、字位同时扩展;例3、将64×2RAM扩展为256×4存储器 ;ROM的阵列图;只要把逻辑函数的真值表事先存入ROM，便可用ROM实现该函数;例 1： 用ROM实现四位二进制码到格雷码的转换。 ;四位二进制码转换为四位格雷码阵列图： ;例 2 用ROM实现字符发生器 ;END;解：;2.;3.结点连接图：;ROM的应用—用ROM显示十进制数:????????? ;仆陷算砍辕粗焉蚊灶既槐薄缄掘矗皿氖先痪措遥膨拴泡膊沦且推灵锦疽初第七章(3学时)课件第七章(3学时)课件;4线—16线译码器 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11 W12 W13 W14 W15;;二极管与门