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物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．2(2014)027303 在预刻蚀的衬底上通过分子束外延直接生长出 拓扑绝缘体薄膜的微器件冰 韦庞 )2) 李康2) 冯硝2)3) 欧云波2) 张立果2)3) 王立莉2)3) 何珂2)3)t 马旭村2)3) 薛其坤3){· 1)(北京邮电大学电子工程学院，北京 100876) 2)(中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100190) 3)(清华大学物理系，低维量子物理国家重点实验室，北京 100084) (2013年12月l1曰收到；2013年12月17日收到修改稿) 在利用光刻将拓扑绝缘体外延薄膜加工成微米尺寸结构的过程 中，所用的各种化学物质会导致薄膜质 量的下降．在实验中，通过在钛酸锶衬底上预先光刻出Hallbar形状的凸平台并以此为模板进行拓扑绝缘体 (BiSbl一)2Tea薄膜的分子束外延生长，直接获得了薄膜的Hallbar微器件，从而避免了光刻过程对材料质 量的影响．原子力显微镜和输运测量结果均显示该微器件保持了(BiSbl一)2Te3外延薄膜原有的性质．这 种新的微器件制备方法有助于在拓扑绝缘体中实现各种新奇的量子效应，并可推广于其他外延生长的低维系 统． 关键词：拓扑绝缘体，钛酸锶，光刻，霍尔效应 PACS：73．40．一C，03．65．Vf，81．15．Hi，85．40．Hp DOI：10．7498／aps．63．027303 MBE)在多种衬底上生长出高质量的Bi2Se3家族 引 言 拓扑绝缘体薄膜，并在其中观测到了一些新奇的量 子现象和物理性质 4【，引． 拓扑绝缘体因其独特的电子结构和性质成为 拓扑绝缘体很多独特的输运性质需要在微米 近年来凝聚态物理研究的热点领域．三维拓扑绝缘 尺度甚至亚微米尺度 的结构中才能观测到．例如， 体具有绝缘型的体能带和受时间反演对称性保护 拓扑绝缘体的表面态具有电子弹性散射的背散射 的金属型表面态．这种表面态在动量空间具有狄拉 缺失的特性 [125]．要想观测到此特性对输运性质 克型的色散关系，并且在狄拉克点之外的地方是 自 的影响，需要样品尺寸小于电子的非弹性散射平均 旋非简并的．这种独特的拓扑表面态有可能导致多 种新奇的量子现象，如表面量子霍尔效应、激子凝 自由程，从而使弹性散射主导输运过程．与此相关 聚现象、量子反常霍尔效应等 【，引．三维拓扑绝缘体 的量子 白旋霍尔效应正是在 1 m大小的二维拓扑 己经在很多材料中被预言或发现，其中Bi2Se3家族 绝缘体Hallbar器件 中才被观测到的[6】．为了将一 的化合物 (Bi2Se3，Bi2Te3和Sb2Te3)因为其简单的 个外延薄膜加工成微器件，一般需要对其进行紫外 表面态结构、较大的体能隙、较易制备等优点成为 光刻或电子束刻蚀．而微器件制作工艺需要使材料 目前研究最多的一类三维拓扑绝缘体材料 [3】．人们 表面接触各种化学物质，如光刻胶、显影液、各种有 已通过分子束外延方法fmolecularbeam epitaxy, 机溶剂等．尽管由于拓扑保护，这些化学物质不会 国家 自然科学基金面上项 目(批准号和国家 自然科学基金重点项目(批准号资助的课题 十