.微电子学相关.docVIP

十一章 微电子与集成电路 §11.1集成电路（IC）：理论与工艺 当今，集成电路芯片是大多数电子设备和计算机的基本电路块。这在1.3节中曾作过介绍，把集成电路微芯片定义为“在一晶片上已制作有各种元器件，包括有源器件和无源器件，且这些器件间没有外部连接。”如平面晶体管（见图8.2b）和MOS晶体管（见图10.1）之类的电子器件是这些芯片的基本单元，这些芯片具有完整的电路功能。”目前已经研制出许多种电路模块，制作这些电路模块动力有从以下四方面： 1、成本；2、尺寸；3、可靠性；4、功能。 先进半导体工艺的发展导致能把成千上万的晶体管制备在同一个单晶片上，这些单晶片的尺寸每边约5mm，厚约0.25mm，以低成本作为发展的原动力。集成电路的平面工艺是采用批量处理技术，把上千个电子元件同时制作在同一硅芯片上，而其成本几乎与生产一个分立晶体管的芯片差不多。因此，一个集成电路芯片上单个晶体管的成本已降到零点几个美分。最近GaAs数字集成电路芯片也已经出现，这种芯片比相应的硅芯片具有更高的开关速度。 采用光刻技术在芯片上可刻蚀出许多器件，这样不但能提供同时生产出这些器件的廉价工艺，而且也可把器件的尺寸做得特别小。根据光学原理：可以分辨的器件结构的最小尺寸仅仅受用于光刻胶暴光的辐射源波长的限制，辐射源的范围可以从波长几千埃的可见光到只有几埃的电子波。 单一芯片上的各个元器件相互连接所采用的工艺涉及在芯片上沉积一层金属化薄膜，然后采用光刻技术在金属化膜刻蚀出所需的图案。这种方法为芯片上的器件连接提供了一种廉价而且可靠的方案，为了制成一个完整的电子设备，这种封装电路芯片还必须与电路板焊接起来，器件失效主要来自这种封装电路与电路板的外部连接。最复杂的电路需要沉积几层金属化膜，彼此间通过介质膜进行电隔离。成本和可靠性考虑要求在同一IC芯片上尽可能最大限度的装配 (assemblage) 元器件。目前正在大力研究把数十个IC通过金属化膜连接起来，而每一个IC能执行一个完整的电子功能，从而构成一个完整的电子设备。例如计算机及外加辅助电路。然而，最近发现这些窄的金属导轨的电阻会限制这些电路的开关频率。 最后，集成电路的批处理技术能经济地运用大量器件来执行单个电路功能。这种技术为这种复杂的电路设计提供了可能，这在集成电路出现之前是不可能的，因而也提高了电路功能。集成电路形式也使得生产体积小、能耗低的、广泛应用于数字电路的新型合并（merged）器件成为现实。 这一章主要讨论用于集成电路生产中的各种半导体材料及器件的制备技术。介绍在制备器件过程中单晶半导体衬底上选择性掺杂的方法，例如扩散法和离子注入法。讨论构成集成电路的各种元器件，并比较这些集成器件与它们相应的分立元件在形式上的区别。介绍目前生产的Si和GaAs数字集成电路，硅模拟集成电路设计的基本要素。讨论器件小型化限制芯片上的最大器件密度的根本制约因素；研究用于预测这些电路最大工作速度和工作频率的原理，分析包括尺寸定义、材料、芯片生产、最大能耗、可靠性等主要制约因素。最后介绍计算机辅助设计在IC芯片中的运用。 §11.2集成电路材料 当今，绝大多数集成电路都是用半导体硅作为起始材料，主要是由于这种半导体材料具有下列特性优点：（1）它的原子重量轻，而且资源充足；（2）高纯单晶硅容易生长；（3）具有比较大能带间隙；（4）通过掺杂能容易地形成p-n结；（5）优良的热导体；（6）容易形成优异的本征、电绝缘和稳定的氧化物；（7）电子迁移率高。 化合物半导体GaAs的电子迁移率高于硅的五倍，但与硅上述的性能相比，GaAs有五个方面不如硅。然而，GaAs数字集成电路芯片已经研制成功，与硅芯片相比，它有优异的开关速度。这种新型芯片的基本单元是MESFET，一种比较容易集成的器件结构。Ge是一种元素半导体，电子迁移率比硅高二倍。然而，Ge不能形成稳定的氧化物，而且Ge的能带间隙比Si小，因此Ge p-n结的漏电流比较高，且只能在较低温度下工作。所以，在将来一段时间内，Si作为集成电路芯片起始材料仍将保持其主宰地位。 事实上，硅是一种在自然界中含量十分丰富的元素（不是一种化合物），这使得它的制备相对简单而且经济。硅的元素性质决定了它的提纯和单晶生长比较简单，它的原子量小也说明它的质量密度低（大约与铝相当），这一点在航天应用中非常优越，因为在航天应用中，集成电路重量轻尤其重要。 硅提纯技术简单，能够比较经济地获得杂质含量低于1ppb高纯硅材料。单晶硅生长的方法如图2.2所示。采用单晶硅作为集成电路的起始材料，如2.1.2节所述，主要是由于硅材料的完整性和质量的可控制性，这一点在大规模集成电路中尤为必要，因为在晶体中即使极微量的缺陷也会影响整个电路芯片的正常功能。 单个硅晶片上容易地制备出p-n结，这是通过把硅片依次放入到含有施