声表面波器件叉指换能器的制作技术徐海林.pdfVIP

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2017-08-14 发布于浙江
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声表面波器件叉指换能器的制作技术徐海林

电子工程师通信技术与设备　 Vol .28N o.4　2002 The Making Technology of IDT 南京电子器件研究所　(南京 210016)　　徐海林　陈培林　　【　】　声表面波器件的制造关键在于如何制作叉指换能器,特别对于 GHz频以上的器件,亚微米线宽如何控制是声表器件能否制作成功的关键。本文提供了其制作工艺流程及要点。 :,, 【Abstract】　 This paper provides some methods of how to make the IDT of the SA device,especially for submicrometer linewidth. Keywords: SAW device, IDT,technology (IDT)、、 1　引　言 ,、 (SA ) 。 ,、、、 2. 1　导电膜的制备(Film De osition) 、。。 , SA 。 , ,,, 2GHz, SA 。, 。 (± 1% )。 ,, , , 5- 。 10GHz。 SA 。 , ,; ,±5%。, ,, 。。, TEMESCAL1800、 VES2550, 。 ± 1% 。 2　制作过程 , 1 。, 〔1〕 ,、、、 ,, 。。, 〔2〕。 = / ( 、 , λ λ V f V , 3000- 4000m /s,f 。 Al-2% 〔2〕 2 ) ,, 1GHz, 1 Cu/Ti, SiO、 SiN、 AlN , 。