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高质量稀磁半导体GaMnSb单晶薄膜分子束外延生长祝梦遥
网络出版时间：2015-02-11 15:09
网络出版地址：/kcms/detail/11.1958.O41509.018.html
物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 7 (2015) 077501
高质量稀磁半导体(Ga, Mn)Sb单晶薄膜
分子束外延生长
祝梦遥 鲁军 马佳淋 李利霞 王海龙 潘东 赵建华
(中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083)
( 2014 年10 月7 日收到; 2014 年11 月18 日收到修改稿)
理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga, Mn)Sb 及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性, 近年来
受到了特别关注. 但是, 由于(Ga, Mn)Sb 薄膜生长窗口窄, 纯相(Ga, Mn)Sb 薄膜制备比较困难, 迄今关于
这类材料的研究报道为数不多. 本文采用低温分子束外延的方法, 通过优化生长条件, 成功制备出厚度为
10 nm, Mn 含量在0.016 至0.039 之间的多组(Ga, Mn)Sb 薄膜样品. 生长过程中反射式高能电子衍射原位监
测和磁性测量都表明没有MnSb 等杂相的偏析, 同时原子力显微镜图像表明其表面形貌平滑, 粗糙度小. 通过
生长后退火处理, (Ga, Mn)Sb 薄膜的最高居里温度达到30K. 此外, 本文研究了霍尔电阻和薄膜电阻随磁场
的变化关系, 在低温下观测到明显的反常霍尔效应.
关键词: 稀磁半导体, 磁学性质, 输运性质, 分子束外延
PACS: 75.50.Pp, 75.70.Ak, 75.47.–m, 81.15.Hi DOI: 10.7498/aps.64.077501
在GaAs 和InAs 等重要的III-V 族半导体中,
1 引 言 由于磁性元素的平衡固溶度很低, 很难在平衡状
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态下实现高浓度的磁性原子掺杂 , 这一情况长期
在现代信息技术中, 半导体材料和磁性材料同 以来制约了III-V 族稀磁半导体的研究进展. 随着
时占据着举足轻重的地位——半导体器件例如集 低温分子束外延技术(LT-MBE) 的发展, 这一问题
成电路、发光二极管等在处理和传输信息时利用 才得到了很好的解决. 1989 年, Munekata 等利用
和操作的是电子的电荷自由度, 而磁性元件包括 LT-MBE 技术成功制备出Mn 含量高达18% 的(In,
磁传感器、磁头等则利用了电子的自旋自由度来 7
Mn)As 样品, 并且观测到了铁磁性的存在 . 1996
记录存储信息. 半导体自旋电子学的兴起则是要 年Ohno 等又利用该技术制备出(Ga, Mn)As 稀磁
改变这种信息处理方式, 期望同时操作半导体中的 半导体, 居里温度也较(In,
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