童诗白 模拟电路课件4-2-9.ppt

变压器耦合乙类推挽功率放大电路图解分析 变压器耦合乙类推挽功率放大电路图解分析 图 晶体管的击穿现象 图 两种散热器 9.3.1 功放管的管耗与散热 图晶体管的散热 返回 9.3.1 功放管的管耗与散热 功放管的管耗是通过热传导的形式以散热的方式消耗掉的。 所谓热传导，是指热能从高温点向低温点传送的现象。为衡量媒质导热能力的强弱, 引入热阻的概念。 一般地, 若A、B两点的温度分别为TA、TＢ, 其间导热材料的热阻为RT, 则A、B两点间传送的热功率P与TA、TB、RT之间, 有如下关系: 式中, P为热功率, 单位为W; RT为热阻, 单位为°C/W。  具体到功放电路中, 当功放管在环境温度Ta下工作时, 由于集电极消耗的功率（即管耗PC）转换为热能, 使结温升高为Tj（TjTa）。显然， PC=P= TjTjmax 可见, 当Ta、RT一定时, 功放管的最高结温Tjmax对应着集电极最大允许功耗PCM， 式中，Tjmax取决于管子的半导体材料。锗管的Tjmax约为75~100 ℃； 硅管约为(175~200)℃。  由式（9-3-1）可知, 环境温度越高, 其允许最大的集电极功耗越小。手册上给出的PCM是在环境温度为25 ℃条件下得到的。 在设计功放电路时, 为了安全工作起见, 常取最高环境温度下的集电极最大允许功耗PCM（Tamax）的90％作为功耗的极限值, 即应使集电极功耗PC满足  PC≤0.9PCM(Tamax) (9-3-2) 对于大功率晶体管一般需要加散热板以改善散热条件, 减小热阻, 从而提高PCM。  9.3.2 保护电路 从前面的讨论中可以看出, 管耗PC过大将导致功放管损坏, 限制管耗即可有效地保护功放管。限制管耗的常用方法是限制流过功效管集电极的电流（即输出电流Io）。基于这一思路, 功放保护电路的常见形式如图9-3-1所示。  图9-3-1（a）所示电路中采用二极管输出限流保护电路。 VD3、VD4是附加的限流二极管。正常情况下, VD3、VD4不起作用。 图 9–3-1 输出级保护电路 （a） 二极管保护； （b） 三极管保护 如果正向电流过大, 则RE2上的压降增大, 使VD3正向偏置，由截止变为导通, 从而分去V2的一部分基极电流, 使输出电流减小。 最大输出电流约为 Iomax≈ 如果设 UD3≈0.6 V, RE2=10Ω, 则Iomax≈60 mA。由于UD3≈0.6 V，具有负的温度系数, 因此当环境温度升高时, 二极管的正向电压降低, 从而使输出电流的最大值也相应减小, 这也有利于控制功放管的结温不致于升高。如果负向电流过大, 则VD4导通, 其保护原理不再赘述。 9.4　集成功率放大电路 OTL、OCL和BTL电路均有各种不同电压增益多种型号的集成电路。只需外接少量元件，就可成为实用电路。 9.4.1　集成功率放大电路分析 LM386是一种音频集成功放，具有功耗小，电压增益可调节，电源电压范围大，外接元件少和总谐波失真小等优点，广泛应用于录音机和收音机之中。 掌握集成功放的电路组成，工作原理、主要性能指标和典型运用。 一、LM386内部电路 图9.4.1　LM386内部电路原理图 第一级差分放大电路（双入单出） 第二级共射放大电路（恒流源作有源负载） 第三级OTL功放电路 输出端应外接输出电容后再接负载。 电阻R7从输出端连接到T2的发射极形成反馈通道，并与R5和R6构成反馈网络，引入深度电压串联负反馈。 二、LM386的电压放大倍数 1.当引脚1和8之间开路时 Uf=UR5+UR6≈Ui/2 2.当引脚1和8之间外接电阻R时 3.当引脚1和8之间对交流信号相当于短路时 4.在引脚1和5之间外接电阻，也可改变电路的电压放大倍数 电压放大倍数可以调节， 调节范围为20~200。 三、LM386引脚图 图9.4.2　LM386的外形和引脚 9.4.2　集成功率放大电路的主要性能指标（略） 9.4.3　集成功率放大电路的应用 一、集成OTL电路的应用 1.LM386外接元件最少的用法 静态时输出电容上电压为 VCC /2 最大不失真