第4章-8-电磁量传感器02.pptVIP

现代检测技术 * 电磁量传感器 霍尔传感器 物理现象观察 霍尔效应 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。 UH b l d I FL FE v B RH—霍尔系数，由载流材料物理性质决定。 d—霍尔元件的厚度 KH—灵敏度，它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍尔电势的大小。 为了提高灵敏度, 霍尔元件常制成薄片形状。 霍尔电势： 霍尔传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。  霍尔元件是一种四端元件 对于导体，霍尔系数一般较小，故霍耳元件一般用半导体制作，且愈小（薄），灵敏度愈高 霍尔元件的构造 基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件越薄(d 越小)，kH 就越大。 霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。 霍尔元件基本结构 组成：霍尔片、引线和壳体。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四个引线。 1-1′两根引线加激励电压或电流，称为激励电极； 2-2′引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。 霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。 在电路中霍尔元件可用两种符号表示。 基本电路 RW调节控制电流的大小。 RL为负载电阻，可以是放大器的内阻或指示器内阻。 霍尔效应建立的时间极短（10-12～10-14S），I即可以是直流，也可以是交流。 若被测物理量是I、B或者IB乘积的函数，通过测量霍尔电势UH就可知道被测量的大小。 霍尔元件的技术参数 1.额定功耗P0 在环境温度25℃时，允许通过霍尔元件的电流和电压的乘积。 2.输入电阻Ri和输出电阻RO Ri是指控制电流极之间的电阻值。 R0指霍尔元件电极间的电阻。 Ri 、R0可以在无磁场时用欧姆表等测量。 4.霍尔温度系数α 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率。 3.不平衡电势U0 在额定控制电流I下，不加磁场时霍尔电极间的空载霍尔电势。 （1）温度补偿 霍尔元件是采用半导体材料制成的, 因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。 当温度变化时, 霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化, 从而使霍尔元件产生温度误差。 1）采用恒温措施 霍尔元件的误差及性能补偿 2）UH=KHIB：采用恒流源供电, 可以使霍尔电势稳定（减小由于输入电阻R随温度t变化而引起的激励电流I变化所带来的影响。） （2）不等位电势补偿 当霍尔元件B=0，I≠0，UH=U0≠0。 这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。 产生这一现象的原因有:  ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； ② 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀； 两电极电不在同一等电位面上 等电位面歪斜 不等位电势补偿的方法 理想情况下, R1=R2=R3=R4, U0＝0 D R1 R2 R4 A B C R3 R4 霍尔元件的等效电路 由于不等位电阻的存在,说明此四个电阻值不相等, 则电桥不平衡。为使其达到平衡，可在阻值较大的桥臂上并联电阻，或在两个桥臂上同时并联电阻。 B B B W A C D W A C D (b) W C A D W C D A R2 R3 R4 R1 B B W D A R2 R3 R4 R1 C （a） （b） （c） W C D A R2 R3 R4 R1 B 霍尔电势是关于I、B、? 三个变量的函数，即 UH=KHIBcos? 。利用这个关系可以使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一个量，其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。 霍尔式传感器的典型应用 检测磁场 检测磁场是霍尔式传感器最典型的应用之