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《模拟电子技术》复习题综合（学习情境1）一、选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管二、填空1、PN结中扩散电流的方向是： 从P区到N区 ，漂移电流的方向是 从N区到P区 。2、PN结的最大特点是 单向导电性 。3、使PN结正偏的方法是：将P区接 高 电位，N区接 低 电位。4、PN结正偏时，有利于 多数 载流子的运动，阻碍 少数 载流子的运行。5、PN结反偏时，内电场与外电场的方向 相同 ，空间电荷区变 宽 ，有利于 少数 载流子的漂移运动，阻碍 多数 载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻 大 ，PN结处于 截止 状态。6、P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，N型半导体中的多数载流子是 电子 。三、判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。（ √ ）2、PN结正向电流的大小由温度决定的。（ × ）3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。（ × ）4、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ × ）5、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ √ ）6、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ × ）四、分析题1、已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求左图所示电路中电阻R的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流IZM＝PZM/UZ＝25mA电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为 2、下图示电路中，已知输入R1=1kΩ，RL=3kΩ，UI=12V，UZ=6V，IZ=5mA，PZM=90mW，问输出电压UO能否等于6V？解：稳压管正常稳压时，工作电流IDZ应满足IZ＜IDZ＜IZM，而即 5mA＜IDZ＜15mA设电路中DZ能正常稳压，则UO=UZ=6V。可求得：显然，IDZ不在稳压工作电流范围内。3、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。解： （A）NPN型管。UBE=0.1-(-0.2)=0.3V，JE正偏，UBC＝0.1-6＝-5.9V，JC反偏。 故该管工作在放大状态，为锗管。（B）PNP型管。UEB=1-0.3=0.7V，JE正偏，UCB＝-2-0.3＝-2.3V，JC反偏。 故该管工作在放大状态，为硅管。 （C）NPN型管。UBE= -3-(-2)=-1V，JE反偏，UBC＝-3-0＝-3V，JC反偏。 故该管工作在截止状态。（D）PNP型管。UEB=6-5.3=0.7V，JE正偏，UCB＝5.5-5.3＝0.2V，JC正偏。 故该管工作在饱和状态，为硅管。 （E）NPN型管。UBE= 4-4=0V，UBC＝4-4＝0V。 则该管可能被击穿损