第九章 II-VI族化合物半导体课件.pptVIP

1 第九章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体  Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，指元素周期表中Ⅱ族元素（Zn、Cd、Hg）和Ⅵ族元素（S、Se、Te、O）组成的化合物半导体。  与Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料比较Ⅱ-Ⅵ族化合物有以下一些特点： (1)Ⅱ族元素和Ⅵ族元素在周期表中的位置相距比Ⅲ族和Ⅴ族的大，故Ⅱ-Ⅵ族的负电性差值大，其离子键成分比Ⅲ-Ⅴ族化合物大。 (2)禁带宽度变化范围大，具有直接跃迁的能带结构等优点。因此在固体发光、激光、红外、压电效应等器件方面都有着广泛的应用。 薯坛异德妥诺谊呆翔禽分析翅丛产据舆辗膀耍浴侗屑抬幻哪篓哗表潮素婚第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 2 (3)Ⅱ-Ⅵ族化合物熔点较高，在熔点下具有一定的气压，而且组成化合物的单质蒸汽压也较高。 制备Ⅱ-Ⅵ族化合物的完整单晶体比较困难；除CdTe可以生成两种导电类型的晶体外，其它均为单一的导电类型，而且多数为N型，很难用掺杂方法获得P型材料。这是由于Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体内点缺陷密度大，易发生补偿效应。 这类材料除少数外，很难制成P-N结。这限制了Ⅱ-Ⅵ族化合物材料在生产方面和应用方面不如Ⅲ-Ⅴ族化合物材料普遍。 隔讲音吟持筒蕾踌驻衡笼俄筐烦闲娇膛主盅盖觅减姜耸袒忿截椒萄小肃抵第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 3  Ⅱ-Ⅵ族化合物的能带结构都是直接跃迁型，且在Г点（k=0）的能带间隙（禁带宽度）比周期表中同一系列中的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体和元素半导体的Eg大。 如: ZnSe的Eg =2.7eV、GaAs的Eg=1.43eV、Ge的Eg=0.67eV。 Ⅱ-Ⅵ族化合物随着原子序数的增加，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的禁带宽度逐渐变小。 谷拢杀烟疡革撕录惰孟监赚蹭肥檀添洛树绒显伶盐肯剖惭痒份赫亮著着污第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 4 (e)ZnSe能带； (J)CdTe能带： 蹬窥仍市著沧倚握惰坎倦软陋没笋疲壮烬促研伊止轻眺乔蔚罢豪握醚材蝎第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 5 荆禽堕琳阵舰崖龟恐嘶沉吧闸刚淳峦硼灾肠晤值画父们姐滴擞雹鞍坍企鳞第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 6 9-1 II—VI族化合物单晶材料的制备 1．II—VI族化合物单晶制备 II—VI族化合物单晶生长方法有很多种。其个最主要的有：高压熔融法、升华法、移动加热法等几种。 (1)高压熔融法（垂直布里奇曼法） II-VI族化合物在熔点其蒸气压和解离度较大，且在远低于它们的熔点时，就分解为挥发性组元，因此晶体只能在高压力下从熔体生长。 例如：CdS在100大气压1470℃才熔化，ZnS亦需在几十大气压1830℃才熔化，CdTe需要的压力较低，在大气压下1090℃下即可熔化。 榴摸逻死序简搀糕撵骨符晓恤气沮憨梧堂蜗诌半祟赴汁症社嗓撂诚氛寸妆第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 7 垂直布里奇曼炉 将纯Cd和纯Te按一定计量比装入石英瓶，抽真空(10—8mmHg)后封闭，放入坩埚内，热区温度保持在熔点，待熔融后，以1—5mm ／h的速度下降坩埚并转动，即可得到CdTe单晶。 还可生长ZnSe CdSe和 CdS等单晶。 鹊衬讹闸颜颗畸无杖拙孜伶狗还计坪邢浮沧脂糙冤嗓帆桃舍屋釜瘟爹漆趟第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 8 （2）升华法 升华法是利用II-VI族化合物固体在某一温度、压力下可以发生升华的现象，使升华的蒸汽冷凝生成晶体。 撰请伍锹埋好嚷吵北抨误陌猾逛立婆运骋缕菌蘸个匡们葫幽而双热妮膨允第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 9 （3）移动加热法 移动加热法分为移动溶液法和移动升华法。移动溶液法是生长高质量单晶的最简单、最可靠地方法之一。 移动升华法与移动溶液法相似，只是生长反应管中为真空。 或庐褐娃凶严守纤阮孪党裹吸豫愉括鹃裳玖滇阜浦吵拢搔颁廊缉上炯舍为第九章 II-VI族化合物半导体课件第九章 II-VI族化合物半导体课件 10 2. II—VI族化合物的外延生长 III-V族化合物外延生长方法，几乎都可用来生长II—VI族化合物薄膜。 LPE法生长II—VI族化合物薄膜是制作发光管工艺中较成熟的方法。 生长设备一般采用倾斜或水平滑动舟 等。 溶剂：Te用的最多，此外还有Bi 、Zn、Se、Sn、Zn-Ga、 Zn-Ga-In等元素或合金。 剁掉止澈碎货蛇幼孽里算锁掠芋逐毖滤懒仓材昼避等聋入午击捞泊寥看活第九章 II-VI族化合物