.第四章内存.pptVIP

2010-05-27 1/44 闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。 NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线， （3）PROM（Programmable Read Only Memory，可编程只读存储器）：这种类型的存储器允许一次性写入数据，一旦信息被写入PROM后，数据就将会被永久地刻蚀在其中 SRAM优点:速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 　 SRAM缺点:集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 DDR3介绍 DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。 DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装， 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有等效数据频率的1/8，DDR[1]3-800的核心工作频率(内核频率）只有100MHz。 　 2．采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 性能方面，相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，也就是内部同时并发8位数据。在相同频率下，DDR3 的数据传输率是DDR2的两倍，性能表现也更为出色。此外，DDR3内存还增加了点对点的拓朴架构和异步重置（Reset）与ZQ校准等全新功能。 2、南亚易胜（elixir）DDR3 1333 4G 台式机内存 Elixir 品牌内存是全球 DRAM 大厂南亚科技旗下品牌，成立于 2001 年，为针对一般消费性市场所推出自有品牌。为符合专业玩家们的需求， Elixir 自成立以来，不断推陈出新，以世界领导品牌的角色，专注研发的精神，推出一系列玩家严选精品，从领先业界的 DDR 、DDR2 内存模块到新一代高效能、低耗电的 DDR3 内存模块，透过南亚科技遍布全球的子公司包括美国、欧洲、日本、中国等，将 Elixir 系列产品行销全世界，成为一国际知名内存品牌。 　　　　　　第四节 内存的封装技术　　封装形式也就是内存芯片的引脚形式。内存工艺的不同决定了内存在稳定性和兼容性方面存在很大的差异，其工艺主要表现在内存的封装技术上。　　目前内存的封装技术主要有TSOP II，BLP，MicroBGA和TinyBGA共4种。其中TSOP II被广泛应用在SDRAM内存的制造上，随着内存技术的进步，也将逐步被淘汰。 　　1．TSOP II　　TSOP II（Thin Small Out-line Package II）直译为第二代薄型小尺寸封装。SDRAM和DDR SDRAM内存颗粒基本都采用TSOP II形式封装，同时由于显存颗粒大部分也属于SDRAM以及DDR SDRAM，所以也采用TSOP II封装。 　　2．TinyBGA　　TinyBGA即小型球栅阵列封装（Tiny Ball Grid Array），采用TinyBGA封装的颗粒大约只有采用TSOP II封装的颗粒面积的一半，TinyBGA封装的引脚数明显多于TSOP II，从而使I/O端口得以增加，有效地缩短了信号的传导距离，减轻了信号的衰减程度，从而增强了芯片的抗干扰能力（EMI电磁干扰）。　 　　3．MicroBGA　　MicroBGA全称为微球栅阵列（Micro Ball Grid Array即MicroBGA），其特点是体积小，成本低廉，并且可以满足未来很长一段时间内频率的提升， 　　4．BLP　　BLP属于新一代封装技术，采用BLP技术封装的内存颗粒在电阻、电容、电感以及最高频率等电气特性上表现得很突出，而且散热量很小，性能比较稳定。 　　　　　　第五节 内存的选购　　内存选购看似简单，其实一旦选择不当，系统性能和稳定性就会大受影响。面对种类繁多的内存市场，用户需要选购适合自己的内存，下面就对其选购进行讲解。　　一、内存选购指南　　用户在选购内存时，需要注意的事项主要有以下几点。 　　1．单面与双面　　目前市面上所见的内存一般分为单面、双面两种。一般情况