.第四章 MOSFET及其放大电路.pdfVIP

§4.1 场效应晶体管(FET)简介 §4.2 N沟道增强型MOSFET §4.3 MOSFET偏置电路√ §4.4 FET的交流参数和小信号模型 §4.5 FET基本放大器分析√ 11/3/2009 1 §4.1 场效应晶体管(FET)简介 场效应晶体管(Field Effect Transistor)是一种利用电场 效应来控制电流的三极管，与双极性晶体管(BJT)不同， 导电过程中只有一种载流子参与，所以又称为单极型晶 体管。 一. FET的分类 3DJ7 FET按结构分为两大类： 1. 结型场效应晶体管，简称JFET (Junction type Field Effect Transister) ； 2. 绝缘栅型场效应晶体管，简称IGFET ( Insulated Gate Field Effect ransister)， 也简称为MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) 。 11/3/2009 2 存在两种类型的JFET ，四种类型的MOSFET。 N沟道耗尽型(正极性晶体管) JFET P沟道耗尽型( 负极性晶体管) N沟道耗尽型、N沟道增强型 MOSFET (Depletion) (Enhancement) P沟道耗尽型、P沟道增强型 二. FET 电路符号 D D D(Drain) ——漏极 G G G(Gate) ——栅极 S S S(Source)——源极 JFET MOSFET 11/3/2009 3 FET与BJT三电极对应关系 D C D C G B G B S E S E 增强型 FET名词： D 1. FET的D到S之间的电流通道称为沟道