.能级与能带有何不同.pptVIP

* 3.1 能级与能带有何不同？固体的能带怎么形成的？ 单个原子的能级是分立的，N个相距无限远的原子能级也是分立 的，当固体中N个原子紧密排列时，由于原子间的相互作用，原 来同一大小的能级这时彼此数值上就有小的差异。同一能级就分 裂成为一系列和原来能级很接近的仍包含N个能量的新能级。这 些新能级基本上连成一片形成能带。 3.2 从能带结构来看导体、绝缘体、半导体有什么差异？ 导体一般都有未被价电子填满的导带。还有满带与空带重叠或导带与空带重叠的情形。 绝缘体和半导体在满带和空带之间都有一个无能级存在的禁带。绝缘体的禁带宽度一般很宽，?Eg 约为3 ~ 6eV，半导体的禁带宽度较窄， ?Eg约为 0.1 ~ 2eV。 3.3 掺杂与加热均能使半导体的电导率增加，但二者有何不同? 以n型半导体为例,掺杂形成的杂质能级靠近导带底部。比禁带宽度小得多。在常温下这种杂质能级上的电子很容易被激发到导带中去，使导带中自由电子浓度增大，大大提高了半导体的导电性。 加热使满带中相当数量的电子被激发到空带中去，这些空带中的电子和相应满带中的空穴可参加导电，使半导体的电导率增加。 加热需使电子跃过禁带。 ?Eg 约为01～2eV掺杂杂质能级与导带底部之间的能量差约为10-2 eV显然掺杂对半导体导电率的影响较大。 3.4 本征半导体与杂质半导体导电机构有何不同？ 本征半导体中导带中的电子与满