MOS电流模逻辑电路设计方法及流程.docVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
MOS电流模逻辑电路设计方法及流程

MOS电流模逻辑电路设计方法及流程摘 要:本文主要介绍了MOS电流模逻辑电路的特点与整个设计流程中主要的要点和方法,以便今后在设计过程中引起人们对于MOS晶体管使用的重视。 关键词:晶体管 设计 MOS电流模逻辑电路 中图分类号:TM13 文献标识码:A 文章编号:1672-3791(2012)05(b)-0133-01随着微电子技术的迅猛发展以及手机、数码相机、电脑等便携电子产品的迅速普及与不断发展,MOS电流模逻辑电路的已经得到了广泛的应用于推广。与传统的电压模式控制相比,电路模式控制具有更快的瞬间反应与良好的闭环稳定性,且周期性的过流关断更好的保护着设备与其他器材。MOS电流模逻辑电路作为重要的器件除了有着以上的优点之外,还拥有着高频下降低功率,抗干扰、高速、低功率等特点。 1 MOS电路模逻辑电路设计特点 1.1?MOS管电路的结构特性 从MOS管的主要特性可知,MOS管电路不但工作的基本条件依赖于直流偏置,其使得MOS管一直工作在一个固定直流工作点上,而电路的功能只要是处理交流信号,例如对于交流电的信号放大。根据MOS管电路和信号的特点,就可以直接去确定提供的直流通道和交流通道的过程,即时使用MOS管电路中可以同时处理直流信号与交流信号,两种状态的电流通道可以同时存在于同一个MOS管电路当中。 (1)直流通道提供了电路的工作基础,没有直流通道电路就不能正常工作。同时,直流通道所引起的电路工作状态叫做电路的静态,电路的静态是分析电路的基础。(2)交流通道提供了电路的基本功能特征,交流通道所引起的电路交流状态以静态为基础。不同的静态将会引起不同的交流状态特征,例如电流和电压的变化范围。 从上分析可知,MOS管电路的静态设计直接决定了电路的特性,而实际上使用MOS管的电流镜、差分电路、有源负载等都有上述功能,也就是我们可以使用MOS管的静态特性来确保电路的稳定与保证电路开关不受到影响。 1.2?叠加分析是分析的基本概念 根据当前电子电路的基本理论可知,MOS管电路的交流状态时以静态为主要基础的,即对于交流信号处理的状态时以直流偏置为核心的,因此在整个MOS管电路工作交流与静态直流同时存在时,是否会直接相互影响。如果交流状态对于直流静态有明显的影响,则MOS管的交流状态则无法直接确定。 为了解决上述问题,在半导体电路的分析理论与技术中,根据MOS管静态工作点在特性曲线中的位置,采用线性时不变的分析方法。 (1)如果在交流信号变化范围内,可以把MOS管看成是线性器件,则认为交流状态不会引起静态工作点的变化,即交流状态对静态无影响。(2)如果认为MOS管在分析所限定的时间内,其参数不会发生变化,则认为MOS管是一个时不变器件。只要偏置条件不发生变化,交流状态对静态没有影响,静态工作点也不会变化。根据MOS管跨导: (1) 可以看出,随着ID的变化,gm也会发生变化。由此可知,MOS管电路分析必须限制交流信号的变化范围,这样做的目的是为了把电路限制在LTI(线性时不变)范围内。 2 MOS管的应用流程方法 在MOS管应用过程中,其主要采用在开关性能应用上,电子开关的电路管理中,它能够保证在突发情况下,保证电器不受到直接的损坏。常见的使用电路在于开关电源和马达驱动,也有照明调光。因此在整个设计流程中应当注意以下几个应用方法,确保MOS管的稳定性。 2.1?低压的应用。 在使用低压电源过程中,如果这时候使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。如果我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就会出现一定的电压风险。如果在3V甚至更低的电压电源场合上也会有一样的风险。 2.2?宽电压的应用 由于输入电压并不是简单的固定值,在很多时候在宽电压的应用会随着时间或者其他因素将会产生变动。这个变动将会导致PWM电路提供给MOS的驱动电压将会出现不稳定,而容易烧坏MOS管。 为了保证MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压时,静态电压功耗将会剧烈增加,从而保证了MOS管的稳定。 同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS管工作良好,而输入电压降低的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。 2.3?双电压的应用 在一些经典控制电路的应用当中,由于逻辑部分电压采用经典的5V或者3.3V数字电压,而功率部分使用12V甚至更高的电压,两个地方的电压采用共地方式进行连接。这就需要使用一个电路,使得低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管的功耗,并且高压侧也能通过M

文档评论(0)

linsspace + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档