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第30卷第4期 膜科学与技术 VoL30No．4 2010年8月 M[E～母RANESCTENCEANDTECHNOLOGY Aug．2010 荷电纳滤膜的切向流动电位测试技术研究 苏保卫。，段晓杰，高学理，高从喈 (中国海洋大学化学化工学院，化学理论与工程技术教育部重点实验室，青岛266100) 摘要：改进了切向流动电位测试技术．由运动方程出发推导了流道高度的理论计算式．利用 DI。膜测量了流动电位，通道高度以及系统中各部分的电导，深入研究了流道高度、系统的各 部分电导以及压降和浓度对Zeta电位的影响．结果表明，所提出的流道高度测定方法，并以总 电导代替流道电导和溶液电导，大大提高了Zeta电位测定结果的准确性．在测量范围内，压降 对Zeta电位几乎没有影响，而浓度对Zeta电位及各部分的电导影响很大．随浓度的增大，Zeta 电位的绝对值下降．在低浓度时，膜电导所占比例大于溶液电导和外回路电导．随溶液浓度增 加，膜电导所占比例逐渐低于溶液电导． 关键词：纳滤膜；切向流动电位；Zeta电位；总电导 中图分类号：TQ028．8；0647．11文章编号：1007—8924(2010)04—0019—05 文献标识码：A 纳滤膜一般带电荷，对电解质溶液具有独特的 分离特性．电解质溶质通过纳滤膜的截留由静电作 用与位阻效应共同决定[1]．膜表面荷电性能的研究 (F-M)式，H—S式只考虑流道中的溶液电导，适应 对于深入理解其截留机理，以及指导新型荷电纳滤 于电解质溶液浓度较高的情况，F—M式考虑了溶 膜的开发均具有极其重要的意义． 液电导与膜面电导[10,11]，适用于电解质溶液浓度较 膜表面由于自身功能基团的解离或某些特定荷 电物质吸附而荷电化，导致膜表面附近的离子电荷 认为，除膜面电导对Zeta有一定程度的影响之外， 与溶液主体浓度分布不同，形成双电层结构[2’3]，该膜本体电导对其Zeta电位的贡献也是不容忽视． 结构与电荷分布可由Gouy-Chapman-Stem-Gra—为了综合考虑膜本体电导对Zeta电位的影响， hame(GCSG)模型L4]描述． 现在主要有两种测量方法：第一种方法是改变流道 当流体在压力驱动下切向流过荷电膜表面时， 高度，来计算Zeta电位[121；二是用直接测量总电 产生流动电位[5]．流动电位测试主要有两种方式．一 导的方法来计算Zeta电位[1引．本文在切向流动 种是透过式，即测定电解质溶液垂直穿过膜孔产生 电位法计算Zeta电位的理论模型基础上，对Zeta 的流动电位[63；另一种是切向式，即测定电解质溶液 电位测定方法进行了改进，以更准确地表示Zeta 平行流过膜表面产生的流动电位[7]．前者能综合反 电位． 映膜皮层、过渡层和支撑层等的荷电信息；而后者能 1 理论 表征膜表面的电性能，并且不受膜孔大小的影响，是 纳滤膜动电现象分析时常用的测试方法，被公认为 1．1 Zeta电位的确定 是表征纳滤膜表面的荷电性能最方便、最实用的方 法之一[8．9|． ehowski(简称H—S)公式为： 收稿日期：2009—05-18,修改稿收到日期：2009—08-03 基金项目：国家自然科学基金资助项目 edu．en) 万方数据 ·20· 膜科学与技术 第30卷 1=一生．址尘 ”7(1) 上两式联立，得到流道高度h的计算公式： b APe，￡o