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MEMS工艺 ——光刻技术 梁 庭 3920330(o) Liangting@nuc.edu.cn 主要内容 光刻技术 光刻技术的发展 制版 软光刻 1.光刻（ Lithography ） 石版（litho ） 光刻（lithography） 写（graphein） 重要性：是不可缺少的工艺步骤，是一个复杂的工艺流程 光刻是加工制造集成电路图形结构以及微结构的关键工艺之一。 光刻工艺就是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学反应，结合腐蚀方法在各种薄膜或硅上制备出合乎要求的图形，以实现制作各种电路元件、选择掺杂、形成金属电极和布线或表面钝化的目的。 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶 ⑴PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)光刻胶 ⑵由重氮醌酯（DQ）和酚醛树酯（N）两部分组成的DNQ。 分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶 ⑴两种组成部份的芳基氮化物橡胶光刻胶 ⑵Kodak KTFR（敏感氮化聚慔戌二烯橡胶） 分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条；这类光刻胶粘附力强，耐腐蚀，容易使用和价格便宜，是常用的光刻胶。 光刻胶的性能指标 (1)分辨率：分辨率是指用某种光刻胶光刻时所能得到的最小尺寸 (2)灵敏度：光刻胶的感光灵敏度反映了光刻胶感光所必须的照射量 (3)粘附性：光刻胶与衬底之间粘附的牢固程度 几种常见的光刻方法 接触式光刻：分辨率较高，容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上 光刻工艺介绍 1. 晶片清洗 2. 脱水和烘干 3. 甩胶 4. 前烘 5. 曝光 6. 显影 7. 坚膜 8. 腐蚀 9. 去胶 光刻工艺过程 作用：保证硅片表面无灰尘、油脂、水，保证粘附性和光刻质量 清洗不好，会造成脱胶、表面灰尘导致粘版、部分图形不感光等光刻缺陷。 清洗设备 光刻工艺过程 设备：甩胶台。 在硅片表面涂覆一层粘附性好，厚度适当，厚薄均匀的光刻胶。 一般采用旋转法，针对不同的光刻胶黏度和厚度要求，选择不同的转速。 可分辨线宽是胶膜厚度的5~8倍。 甩胶注意的问题： 膜厚对分辨率的影响 膜厚对针孔密度的影响 膜厚对胶膜于衬底粘附力的影响 光刻工艺过程 前烘就是在一定温度下，使胶膜里的溶剂缓慢地挥发出来，使胶膜干燥，并增加其粘附性和耐磨性。 前烘的温度和时间随胶的种类和膜厚不同而有所差别。 方法：80?C下10－15分钟。 烘箱烘烤、红外光照射、热板处理 光刻工艺过程 设备：光刻机 对准：使掩膜的图形和硅片上的图形精确套合。 曝光：对光刻胶进行选择性光化学反应，使光刻胶改变在显影液中的溶解性。 通常采用紫外接触曝光法 光刻胶：高灵敏度，高反差，均匀，产量大。 影响曝光质量的主要因素 曝光时间 氮气释放 氧气的影响 驻波的影响 光线平行度的影响 光刻工艺过程 正胶去曝光部分，负胶去未曝光部分 部分光刻胶需要超声显影 显影时间根据光刻胶种类、膜厚、显影液种类、显影温度和操作方法确定。 显影后检查光刻质量，不合格的返工。 光刻工艺过程 除去显影时胶膜吸收的显影液和水分，改善粘附性，增强胶膜抗腐蚀能力。 坚膜的温度和时间要适当 坚膜时间短，抗蚀性差，容易掉胶；坚膜时间过长，掩膜难以去除，或开裂。 腐蚀时间长的可以采取中途多次坚膜 光刻工艺过程 用适当的腐蚀剂对显影后暴露的表面进行腐蚀，获得光刻图形 干法腐蚀和湿法腐蚀 SiO2：HF，BHF Al：磷酸（70~90 ?C，加乙醇或超声去气泡）；高锰酸钾（ 40~50 ?C）， 多晶硅：CF4PLASMA，加入2~6%O2 Si3N4：CF4，加入C2H4乙烯或H2 图形转换：刻蚀技术 湿法腐蚀： 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差 干法刻蚀 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。