GaAs饱和吸收体的弹性性质的第一性原理.PDF

第 卷第 期 年 月 40 10 红外与激光工程 2011 10 Vol.40 No.10 Infrared and Laser Engineering Oct. 2011 GaAs 饱和吸收体的弹性性质的第一性原理 唐文婧，李德春，赵圣之，李桂秋，杨克建 ( 山东大学信息科学与工程学院，山东济南 250100) 摘 要： 基于密度泛函理论的平面波赝势方法，运用Castep 软件研究了带有不同本征点缺陷的GaAs 饱和吸收体的晶格常数和弹性性质，得到了在不同的点缺陷影响下的GaAs 晶体的弹性常数，并采用 Voigt-Reuss-Hill 方法计算得到相应的体积弹性模量B 、剪切模量G,并与理想GaAs 晶体的弹性模量 数值进行对比。本征点缺陷的存在破坏了GaAs 晶体的对称性，使晶格发生畸变，晶格常数变小，弹性 常数也不再符合立方晶系的弹性常数模式。GaAs 饱和吸收体的脆性降低，延性增强，晶格更容易发生 切向形变。计算得到的弹性常数将有助于进一步分析含有复杂缺陷结构的GaAs 晶体的弹性性质，并 对GaAs 晶体作为饱和吸收体用于被动调Q 激光器具有理论指导意义。 关键词： 弹性性质； GaAs 饱和吸收体； 本征点缺陷； Castep 软件 中图分类号： O474 文献标志码： A 文章编号： 1007-2276(2011)10-1881-05 First principle of the elastic property of GaAs saturable absorbers Tang Wenjing, Li Dechun, Zhao Shengzhi, Li Guiqiu, Yang Kejian (School of Information Science and Engineering, Shandong University, Jinan 250100, China) Abstract: The lattice constants and elastic properties of GaAs saturable absorber with different intrinsic point defects were studied by the plane -wave pseudopotential method based on density functional theory (DFT) with Cambridge serial total energy package(Castep) program. The elastic constants of GaAs crystal with different intrinsic point defects were obtained. The bulk elastic modulus(B) and the shear modulus(G) were calculated from the theoretical elastic constants by Voigt -Reuss-Hill averaging scheme. The difference of elastic properties between perfect GaAs crystal and defective GaAs crystal was also obtained. The existence of