SDRAM、DDR、DDR2关键测量点概要.pptVIP

台式机主板内存 为什么内存能提高性能？ 1内存就是内部存储器，是文件临时交换场所，不储存。硬盘是外部存储器，用于存储数据。数据由硬盘调出，进入内存，再进入cpu处理，处理完毕经内存返回硬盘存储,内存和硬盘不同的，容量更不同。 2、若所有的数据和应用程序存储在HDD里，CPU将经常等待HDD传送数据 .SDRAM(同步DRAM) SDRAM支持高速的总线时钟频率(66MHZ以上),而不至于插入指令等待周期,它的基本原理是将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使得RAM和CPU能够共亨一个时钟周期,以相同的速度同步工作.在理论上其速度与CPU外频同步,与CPU共亨一个时钟周期.以INTEL 430VX芯片支持的SDRAM为例,在搭配66.6MHZ的内存数据总线速度下,达到7-1-1-1的时序水准,也就是说第一次存取需要7个时钟周期,但接下来的内存存取,都能以一个时钟周期来完成(如果总线速度更高,则第一次存取所需的总线周期会更小),就是说,SDRAM在开始的时候要多花一些时间.但在以后,每一个时钟可以读写1个数据,做到了所有的输入输出信号与系统时钟同步. SDRAM与系统时钟同步,采用管道处理方式,当指定一个特写的地址,SDRAM就可读出多个数据,即实现数据的突发传送.具体来说,第一步,指定地址;第二步,把数据从存储地址传到输出电路;第三步,输出数据到外部.关键的是以上三个步骤是各自独立进行的,且与CPU同步,而以往的内存只有从头到尾执行完这三个步骤才能输出数据,这就是SDRAM高速的秘诀.SDRAM的读写周期一般为7-15ns. SDRAM内存针脚定义 SDRAM 关键测试点 时钟信号（CLK）：168线SDRAM内存插槽中提供4个时钟信号点，分别位于42、79、125、163针脚。正常时，时钟信号点的工作电压为1.6V。 电压信号点，168线SDRAM内存插槽需要一种工作电压：+3.3V,分别位于6、18、26、40、41、49、59、73、84、90、102、110、124、133、143、157、168针脚 DQ0-DQ63：64位数据线 A0-A13：地址线 CAS#：列地址选通 RAS#：行地址选通 DQMB0：DQMB7：数据屏蔽 CB0-CB7：字节允许信号 WE0#：低电平写信号 内存时钟信号供应方式图 Memory 接口訊號說明 1. SCMDCLK[5:0] O Differential DDR Clock(時鍾輸出） SCMDCLK與SCMDCLK#是差分時鍾輸出對，地址和控制信號都在這兩個Clock正負邊沿的交叉點采樣。每個DIMM共有三對。 2. SCMDCLK[5:0]# O Differential DDR Clock(時鍾輸出） 這個Clock訊號的意義同上。 3. SCS[3:0]# O Chip Select（芯片選擇） 當這些信號有效時，表示一個Chip已被選擇了，每個訊號對應於SDRAM的一行。 4. SMA[13:0] O Memory Address（內存地址） 這些訊號主要用於提供多元的行列地址給內存。 5. SBA[1:0] O Bank Address（Bank選擇） 這個些信號定義了在每個內存行中哪個Bank被選擇。Bank選擇信號和內存地址信號聯合使用可定址到內存的任何單元。 6. SRAS# O Row Address（行地址） 行地址，它和SCAS#、SWE#一起使用，用來定義內存的命令。 7. SCAS# O Column Address（列地址） 列地址，它和SRAS#、SWE#一起使用，用來定義內存的命令。 8. SWE# O Write Enable（寫允許） 寫允許訊號，它與SRAS#、SCAS#一起使用，用來定義內存的命令。 9. SDQ[63:0] I/O Data Lines（數據線） 這些訊號線用於傳輸數據。 10. SDM[7:0] O Data Mask（數據屏蔽） 當在寫周期有效時，在內存中傳輸的數據被屏蔽。在這八個訊號中每個訊號負責