shangB-1课件.ppt

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2017-08-16 发布于河南
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Asymmetrical Half Bridge Converter based on L6591 ;Review of Switching Characteristics ;*;MOSFET Switching losses;Principle of zero-voltage switching;The Block of Asymmetrical Half-bridge;*;Waveforms for switching process;AHB steady-state analysis (1);AHB steady-state analysis (2);AHB steady-state analysis (3);*;L6591: NEW High Performance PWM Controller;L6591: MOSFET DRIVERS;L6591:HIGH VOLTAGE START-UP Vcc;*;*;*;*;*;AHB topology key features;*;*;*;*;;confidential;MDmesh V: Best on-state resistance ;VDS;MDmesh V: WW best RDS(on) * Area ;*;*;STW55NM60ND Source Drain Diode parameters: Qrr=1.6uC Trr=200ns Irm=16A;Fast Diode MDmesh II;*