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4.3 主教材习题解析 4.1 说明1M×l位DRAM片子的刷新方法，刷新周期定为8ms。 解： 1M×l位DRAM片子的组织为1024×1024，(1024行1024列),每次刷新2048单元，在一个刷新周期内刷新512次，每次刷新间隔为8ms / 512 = 15.625微秒，即每隔15.625微秒刷新2行，在不到8ms时间全部刷新一遍(即刷新周期定为8ms)。刷新时，送9位行地址A8~A0，行地址选通信号RAS#=L，写信号WE#=H (刷新是假读) 4.2 用16k×8位的DRAM芯片构成64K×32位的存储器： 画出该存储器的组成逻辑框图 解： 采用字位扩展法，4片16k×8位芯片组成一组为位扩展，形成32位字 共用4组字扩展,构成64k×32的存储器。 4.3 设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，求 （1） 该存储器能存储多少个字节的信息？ （2） 若存储器由512k×8位SRAM芯片组成，需要多少片？ （3） 需要多少位地址作芯片选择？ 解：（1）220×32 / 8 = 4MB （2）4MB / 512k×8位 = 8片,2片构成1MB, 4MB需4组 （3）2片构成1MB, 4MB需4组，用2位地址作芯片选择。 4.4. 用下列芯片构成存储系统，各需要多少个RAM芯片？需要多少位地址作为片外地址译码？设系统为20位地址线，采用全译码方式。 （1）512×4位RAM构成16KB的存储系统； （2）1024×1位RAM构成128KB的存储系统； （3）2K×4位RAM构成64KB的存储系统； （4）64K×1位RAM构成256KB的存储系统； 解： 1) 需要16KB/512×4=64片 片外地址译码需11位地址线。 2) 需要128KB/1K×1=1024片 片外地址译码需10位地址线。 3) 需要64KB/2K×4=64片 片外地址译码需9位地址线。 4) 需要256KB/64K×1位=32片 片外地址译码需4位地址线。 4.5 现有一种存储芯片容量为512×4位，若要用它组成4KB的存储容量，需多少这样的存储芯片？每块芯片需多少寻址线？而4KB存储系统最少需多少寻址线？ 解: 4KB/ 512×4b= 16，需要16片 每片芯片需9条寻址线 4KB存储系统最少需12条寻址线 4.6 ．何为位扩展？何为字扩展？并举例说明。 解：若每个存储芯片只有1条数据线D，8个存储芯片的数据线分别同CPU的数据线D0～D7相连，CPU发出16位地址，同时选中8个存储片的同一地址单元，各提供1位数据，形成1个字节的信息供CPU读写（这就是“位扩展”）; 同样，若每个存储芯片只有2条数据线D1,D0，4个存储芯片的数据线分别同CPU的数据线D0D1，D2D3，D4D5，和D6D7相连，CPU发出16位地址，同时选中4个存储片的同一地址单元，各提供2位数据，形成1个字节的信息供CPU读写; 若每个存储芯片各有4条数据线D3,D2,D1,D0，2个存储芯片的数据线分别同CPU的数据线D3D2D1D0，和D6D7D4D5，相连，CPU发出16位地址，同时选中1个存储片的同一地址单元，各提供4位数据，形成1个字节的信息供CPU读写。 这都是“位扩展”。 每个存储芯片提供字信息，设字信息为8位，每个芯片可提供64K×8位——64K字，8个存储芯片构成8×64K字，把存储字从64K字扩展为512K字。这就是“字扩展”。 4.7 用16k×8位的SRAM芯片构成64K×16位的存储器，要求画出该存储器的组成逻辑框图。 解：采用字位扩展法，2片16k×8位芯片组成一组为位扩展，形成16位字 共用4组字扩展,构成64k×16位的存储器。 4.8 已知某8位机的主存采用半导体存储器，地址码为18位，采用4K×4位的SRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块条形式，问： （1）若每个模块条为32K×8位，共需几个模块条？ （2）每个模块条内有多少片RAM芯片? （3）主存共需多少RAM芯片？CPU需使用几根地址线来选择各模块？使用何种译码器？ 解：（1）地址码为18位，所允许的最大主存空间为218B=512KB 512KB / 32K×8位 = 16， 共需16个模块条 （2）32K×8位 / 4K×4位 = 16， 每个模块条内有16片RAM芯片 （3）16×16 = 256 主存共需256个RAM芯片 16 = 2n， n = 4 CP