全cmos基准电压源的分析与仿真 analysis and simulation of all-cmos voltage reference based on hspice.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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全cmos基准电压源的分析与仿真 analysis and simulation of all-cmos voltage reference based on hspice.pdf

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全cmos基准电压源的分析与仿真 analysis and simulation of all-cmos voltage reference based on hspice

电子技术设计与应用EIectronics 电～子～技||术～ DesignAppI．cation 全CMOS基准电压源的分析与仿真术李勇峰黄娟王龙业王宏 (西藏大学工学院，西藏拉萨) O．18u 摘要：文章基于CMOS 种电路仿真时的电路参数和仿真结果。关键词：基准电压；CMOS集成电路；Hspice andSimulationofAll。CMoSReferenceBasedon Analysis Vblta2e Hspice Li Juan YbngfengHuangWang Hong’ LongyeWang of (SchoolEngineering，TibetUniversityjLhasa，Tibet) Abstract：BasedonCMOD0．18Um this andsimulatesfouraIICMOS technoIogypaperanaIyzes voltage on circuit andsimulationresultswheneachcircuitissimulatedare basedHspice．Theparameters given． 1(eywords：voltagercference；CMOSime昏翟上edcircuit；Hspice 0引言电压№f在o~1．245V之间变化。模拟电路广泛地包含基准源。这种基准源是一个直流量，它与电源和工艺参数的关系很小，但与温度的关系是确定的。本文对四种基本MOS管基准电压源进行分析和仿真。 1 MOS分压基准电路一个最容易想到的基准电源就是在两个电源之间进行分压而得到。当然，用来分压的器件可以是无源器件也可以是有源器件。但是这样得到的基准电压与电源电压成正比。 VDD、pD “““镰k甜“””—■●■_—9 (a) 图3图l(b)的温度特性和巨漉输出变化时，输出电压所e眭0～1．26V之间变化。可见，输出电压依赖于电源电压的变化而变化非常明显。图lMOS管分压基准电路图4自偏置MoS管基准电压源图2图1(a)的温厦特性和置沉输出 2自偏置MOS管基准电压源 p州0．18um，电路如图l所示。图l(a)是由电阻和二极管联接的电路如图4所示。(眦)1=(眦)2=1．8 unI／0．36um。取R1=100 MOS管构成的分压器。Hspice下取电源电压VDD=3．3V，(