全反射镜结构对algainp发光二极管发光效率的影响 influence of an omni-directional reflector on the luminous efficiency of algainp light-emitting diodes.pdfVIP

V01．28 第28卷第12期 半导体学报 No．12 2007年12月 CHINESEJOURNALOFSEMlCoNDUCToRS Dec．，2007 全反射镜结构对AIGaInP发光二极管 发光效率的影响* 癸 吴’ 韩 军 事建军 邓 军 鄂德恕 寒小伟 寒袋爆 浼光地 (北京工业大学光电予技术实验室，北京 100022) 攘荑：采焉诗算税模援懿努法，计算了si晓／踅，11D／越，Si貔／Au纛l哟／A珏全方俊反射镜结梅鞠分布式带摭 并测嫩了其反射特性，实验与模拟结果基本吻合．从模拟和实验的结果得到，si02／AuODR结构在波长为 LED的出光效零． 关键词：全方位反射镜}模拟计算；发光二极管 EEACC：4260D 中辫努类号：TN312。8文蘸标识辩：A 文章编号：0253，4177(2007)12．1952．05 成本高[5]，ODR的制造过程相对简单．而相对于分 1 布式布拉格反射镜(distributedreflector， 引言 Bragg DBR)丽言，D鹣R的反射率会受到入射角度的影 e． 响．而ODR反射率对入射角的要求便没有那么苛 近几年，A1GalnP高亮度发光二极管(1ight 刻，它在0。～85。的范围内反射率都很高[4]，而且 mittingdiode，LED)得到了广泛的应用，在各种显 示系统、爨骥系统、汽车尾斑等领域莛着越来越重要 ODR可以选择泡奔震、盒震层静静类较多． 本文便是利用计算机模拟，计算了si02／舢、铟 的作用H撑j．以(Al。Gal一，)¨In∽P材料作为有源区 tin 的LED具有较高的内量子效率口]．对予传统设计锡氧化物(indium 豹LED来说，有很多因素限裁它的豁璧子效率：内 lTO／AuODR结构以及DBR结梭戆光谱特性，并 部的全反射、金属电极的阻挡、GaAs等半导体材料 比较了不同结构ODR的优劣和其适用范围，得出 对光的吸收．这些LED生长猩GaAs衬底上，而最 终有很大一部分光被挂底吸收。所以对予这种传统 距CVD和溅射设备制佟了Glass／Si02／AuODR 的LED结构丽言，即使内部的光电转化效率很高， 它的外量子效率也不会很高．当前有很多种方法来 射特性，得到了ODR结构反射率高于DBR结构的 结论． 提高LED出光的提取效率，如加厚窗疆层、表面粗 纯、透明树底、餐金字塔结构等． 在这嫂提高提取效率的方法中，全方位反射镜 2计算模型 (omni—directional reflector，ODR)结构以其独有 静特点弓|起了更多的关注。一般露言，ODR结构怒 熬震于涉艇阵网M，霹敬诗算褥臻结构黪反射 率R． 由半导体、低折射率的电介质和具有复折射率的金 sub． 属组成[4]。相对于透明衬底LED(transparent str