在zvs拓扑中选择最优的死区时间 optimum dead time selection in zvs topologies.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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在zvs拓扑中选择最优的死区时间 optimum dead time selection in zvs topologies.pdf

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在zvs拓扑中选择最优的死区时间 optimum dead time selection in zvs topologies

责任编辑：李健 Powersupply design 技术专题 S p e c i a l R e p o r t 在ZVS拓扑中选择最优的死区时间 Optimum Dead Time Selection in ZVS Topologies Sanjay Havanwr 威世科技系统应用高级经理时间间隔当可以实现最优延迟而摘要：通过本文的分析来优化中压和高压功率MOSFET在各种隔离式且根据以往经验这个条件是常常能转换器拓扑使用时的死区时间，能够帮助工程师发现各种器件技术的优够达到的这时有必要对变化过程进点，甚至使那些过时的设计方案也能达到更好的性能。本文网络版地行分析选择能实现最高效率的合适址：/article/184600.htm 器件为说明这个分析过程在本文关键词：MOSFET；ZVS；DC-DC；IBC DOI: 10.3969/j.issn.1005-5517.2013.11.001 中我们将使用一个软开关全桥整流每个桥臂的满占空比为50% 这个拓中压和高压功率MOSFET 在各种端预稳压在ZVS模式中还用来开关扑也被称为直流变压器在48V 直流隔离式转换器拓扑中被广泛使用例低边MOSFET 硬开关的桥式整流和输入非稳压中间总线转换器(IBC) 如半砖或全桥整流以及单端升压或升压转换器对死区时间没有严格的要输出的产品中用得比较普遍在这里同步降压稳压器桥式整流可以是硬求所有的软开关ZVS桥式和同步降讨论的概念和参数折中也可以扩展到开关或软开关但目前的大多数转换压转换器都必须在类似的限制条件下很多其他ZVS拓扑器使用零电压开关(ZVS) 避免导通工作在低压同步降压转换器中在时的开关损耗功率部分是一样的低边和高边MOSFET之间转换的