在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导 low-microwave loss coplanar waveguides fabricated on high-resistivity silicon substrate.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导 low-microwave loss coplanar waveguides fabricated on high-resistivity silicon substrate.pdf

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在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导 low-microwave loss coplanar waveguides fabricated on high-resistivity silicon substrate

第27卷第1期半导体学报 V01．27No1 CHINESEJoURNALoF 2006年1月 SEMICoNDUCTORS Jan，2006 Low—MicrowaVeLoss Fabricated Coplanar WaVeguides on Silicon Substrate+ Hi曲一Resistivity Hua+，zhu Fan，andwei Yang Hongliang，xieHongyun，zhaoLingjuan，zhou Wang (』肿fff“圯o，＆mi删dHcm坩，c^㈣A衄demy 100083，西jM) 0，＆Ienc甜t＆讲ng kindsof Abstmct：Three andfabricatedondifferentsiIiconsub． coplanarwaveguides(CPWs)aredesigⅡed stra钯s——common low—resistlvitvsilicOⅡsubstrate(LRS)，LRSwitha3“m—thicksilicoⅡoxideinterlaver，and The sⅢcon(HRS)substrateresultsshowthatthemicrowavelo鼯ofaCPWonLRSistoo to high—resistivity high be be11sed，butitcan reduced athlck ofsilicon greatly byaddi“g incerlayer oxidebetweeⅡtheCPWtransmission linesandtheLRs．AcPw onHRsshowsalosslowerthan inthe of and directly 2dB／cm range0～26GHzthe process虹simDle，soHRSisamoresuitableCPWsubstrate K。y silicon；microwave wm。凼：coplanarwaVeguides；h远h—resistiVity lo髂；high pack- a91ng EEAoC：1310}1305}0710J CLC Artjcle n眦nber：TN248D眦mment∞de：A ID2006 t