增强反激式转换器中的同步整流控制.pdfVIP

增强反激式转换器中的 同步整流控制 袁茵编译 随着每一代新的MOS场效应晶体管(metallicoxide 的损失呢?对于一个二极管而言， semiconductorfieldef绝cttransistor．金属氧化物半导体场效应晶前向传导功率损失就是前向电压 体管，简称MOSFET)的出现，在反激式转换器的二级电路中有和电流的直接产物。而对于一个 MOS场效应管来说，这一功率损 越来越多的二极管转变为同步整流(syncllronous—recti丘cation，简 称SR)MOS场效应管，这一做法几乎不花多少成本代价就实现失可以通过公式J2 R璐r㈣(MOS 了性能上的提高。同步整流MOS场效应管的效率可能比二极管更 场效应管的源一漏极开启阻抗) 高，它能在较低的操作温度下和较小的热沉一起工作，甚至是根 算出。在二极管的导通电压VF 本就没有热沉。不过，它们需要一个控制电路来管理其转换行 为标准值0．6V时，大小为4A的电 为．来模拟一个二极管的工作。在今天的商用电源中，常用的同 流就能令2．4W的功率转化为热 步整流控制方法包括从电流转换器中获取逻辑信号并送给控制 能。同时，如果MOS场效应管的 器。不过，其实还有更好的办法。 源一漏极开启阻抗RDS(0N)为 10mQ。那么在4A电流下的功率 损耗就为0．16w。 当电流为4A时，MOS场效应 从传统上来说，反激式转换 率转换器拓扑时一样，反激式转 管消耗的功率比二极管要少93％， 器非常适合用在要求功率水平低 换器在二级电路上采用了一台变 这样管内的结温度与管壳的温度 于150W的应用设备中。它们最大压器．上面配有一台整流器。最 就会比较低．也就意味着MOS场 的吸引力在于简单和低成本。假 简单的配置是在它的高压端或低 效应管所需的热沉可以比较小， 如功率超过150W(当然如果功率压端使用一个半波整流器二极 甚至根本不需要热沉。从理论上 水平达到200W或更高的话就更不管，如图1(a)所示。同步整流来说，对于这个例子中的二极管 用说了)，那么半桥式转换器与争 把一个MOS场效应管与某种控制 和MOS场效应管的特性参数来 相转换器就是标准的拓扑。对于 功能结合在一起，以调节器件的 说，除非电流达到60A，否则就 反激式转换器来说。无论它们原 开关，使它模拟二极管从变压器 不会产生功率损耗奇偶校验。在 本是用二极管实现的还是用同步 开始的交流电变换。同步整流的 实际应用中．在真实电路中达到 整流MOS场效应管实现的，它们 方法提供了更高的效率，但作为 功率损耗奇偶校验的程度之前。 的主要问题都是半导体的传导损 权衡，在复杂性和成本方面也有 你应该早就已经选好一种源一漏 耗。 相应的牺牲，如图1(b)所示。 极开启阻抗较低的MOS场效应管 就像使用所有其他的绝缘功 我们现在讨论的到底是怎样 了，这是一对并行器件，或者就 万方数据 蔽两深忑丽i丽_＼32． ● ●