实验 半导体存储器原理实验.pptVIP

计算机组成原理实验 */25 一、实验目的 三、实验原理 四、实验连线 五、实验步骤 实验二 存储器实验 二、实验设备 */25 一、实验目的 掌握半导体RAM 6264的特性和使用方法。 掌握6264存储器的读写方法。 按给定数据，完成实验指导书中的存储器读写操作。 */25 二、实验设备（平台）DVCC实验机平面图 */25 三、实验原理 */25 RAM 6264芯片外特性 工作 方式 I/O 输入（控制） DI DO /OE /WE /CS 非选择 X HIGH-Z X X H 读出 HIGH-Z DO L H L 写入 DI HIGH-Z H L L 写入 DI HIGH-Z L L L 选择 X HIGH-Z H H L 6264功能表 存储器实验电路原理图(图3-5) 数据输入三态缓冲器门控信号 SWB（0有效） */25 AR 地址A0～A7有效 可寻址256个单元 8Kx8 数据总线挂在外部数据总线EXD0 ～ EXD7 8位地址由AR给出 地址值由LAD0-7显示 输入数据由8位数据开关KD0 ～ KD7提供 三态门和外部总线相连 外总线与内总线相连 读出数据由LZD0-7显示 地址锁存AR控制信号 LDAR （1有效） 存储器片选信号CE’ （0有效） 存储器写信号WE（1有效） 存储器读信号WE（0有效） 地址锁存AR和数据写入6264脉冲信号 T3