高等电路分析4 非线性电路例.pptVIP

一、 MOS电阻 MOS器件的结构简图 MOS器件的工作原理 MOS器件的工作原理 MOS器件的工作原理 消除电阻非线性的方法 并联MOS电阻 差分MOS电阻 典型锁相环（PLL）系统是由鉴相器（PD）、压控荡器（VCO）和低通滤波器（LPF）三个基本电路组成 二．鉴相器（PD） Ud = Kd *?θ Kd 为鉴相灵敏度 三．压控振荡器（VCO） （P2） ωo（t）= ωom + K0 UF（t） K0——VCO控制特性曲线的斜率，常称为VCO的控制灵敏度，或称压控灵敏度。 四、环路滤波器，如无源比例积分滤波器 当锁相环处于锁定状态时，鉴相器（PD）的两输入端一定是两个频率完全一样但有一定相位差的信号。如果它们的频率不同，则在压控振荡器（VCO）的输入端一定会产生一个控制信号使压控振荡器的振荡频率发生变化，最终使鉴相器（PD）的两输入信号（一个是锁相环的输入信号Vi, 一个是压控振荡器的输出信号Vo）的频率完全一样，则环路系统处于稳定状态。 四 MEMS可调谐电容 基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点 用于RF电路 电容公式 C为电容值;ε为介质的介电常数; A为极板的面积; d为极板的间距; x为外加电压引起的极板间距变化量。 可演变出许多不同的结构,电容的变化量和所加电压之间有线性的也有非线性的关系。 五、忆阻器 memristor 历史回顾－蔡少棠的理论 忆阻器是根据非线性电路元件的电学关系及其完备性得出的很自然的假设；是与非线性电阻、电容和电感相并列的非线性电路元件。 1976－2000年有零星研究，但一直未找到无源忆阻器。一直没有引起人们的重视 。 忆阻器的新进展——HP Labs的贡献 2008年公开研制出纳米尺度的新元件(实验样品) 忆阻器的种类和奇异电学特性 “忆阻器” 开辟了应用新领域 忆阻器带来的新挑战： 1、 materials and fabrication 忆阻器带来的新挑战： 2、 Device models for CAD 忆阻器带来的新挑战： 3、 Novel circuits 忆阻器带来的新挑战： 4、 Systems architecture 文献报导的部分应用 Spice 模型 胡小方, 段书凯, 王丽丹, 廖晓峰（西南大学电子信息工程学院）忆阻器交叉阵列及在图像处理中的应用，中国科学: 信息科学2011，41 （4） 存储彩色图像，要求红、绿、蓝3 个分量. RGB 也可以看作是一个由3 幅灰度图像形成的。 将忆阻器交叉阵列构建成3 层立体结构, 每一层处理一种基色灰度图像, 整个立体结构就可以处理彩色图像. 选用600×600×3 的彩色花朵图像, 使用3 层600 行600 列的忆阻器交叉阵列结构. 验证了施加脉冲的幅度和宽度对忆阻器阻值状态的影响是等效的, 进一步说明忆阻器能够记忆流过它的磁通量(电荷量) 的特性. 模拟变形虫的学习过程 Yuriy V. Pershin,（USC，Columbia）, Memristive model of amoeba learning，PHYSICAL REVIEW E 80, 021926 2009 惠普公司在不到一年的时间内，RRAM闪存密度大约只有闪存的三倍。在几年前惠普开始研发矩阵交换器时，密度曾达到闪存的40 或50 倍，“Gartner 公司副总裁Martin Reynolds 表示，”为了保持领先优势，惠普必须设法将忆阻器当前的100Gb/cm2 密度提高到Tb 数量级。 HP公司认为RRAM 应用只是忆阻器初露的锋芒。惠普实验室预测忆阻器将在神经网络中大展宏图。因为忆阻器可以根据需要让电流往任意一个方向流动，从而实现神经网络的自适应功能。 2010－9－8消息：惠普(HP)近日宣布与韩国海力士(Hynix)签署合作研发协议，旨在将忆阻器(memristor)技术商业化；将共同开发新材料与制程整合技术，以便将HP的忆阻器技术由研发阶段推向电阻式随机存取内存(resistive random access memory，ReRAM)形式呈现的商业化开发阶段。 ReRAM与FeRAM、MRAM、还有PCM(phase-change memory)，都是新一代的内存技术；HP称ReRAM是一种低功耗的非挥发性内存，具备取代闪存的潜力，此外也有机会用做通用储存媒介──即DRAM甚至硬盘机。 HP资深院士、HP信息与量子系统实验室创始总监Stan WilliAMS表示，ReRAM的终端产品预计2013年底问世 u0, 掺杂物向右移动 w增加