模电第6章集成运算放大器.ppt

集成运算放大器可简称为集成运放，是一种具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路，因为最初被用于模拟运算中，故名运算放大电路。目前，它的应用已十分普遍，远远超出了原来“运算放大”的应用范围。 当前，我国产量最大的是通用型集成运算放大器，其次是专用型运算放大器，专用型运算放大器有高速型、高输入电阻型、低漂移型、低功耗型以及高压型等。 图6.2.14 微电流源 设两三极管参数相同 4、威尔逊（Wilson）电流源 威尔逊电流源与镜像电流源比较，多采用了一个三极管，提高了与基准电流相等的精度，同时因为引入了电流负反馈，所以提高了输出电阻，稳定了输出电流，具有很好的恒流特性。电流的自动稳定过程如下： 6.2.3 采用复合管和有源负载的中间放大级 三极管VT1和VT2构成复管，复合 ，从而电压增益和输入电阻都比较大。 而三极管VT3和VT4构成镜像电源，其电流作为复合管的集电极有源负载，进一步提高中间级的电压增益。 输出级过载保护电路的作用是当负载电流超过规定值时，保护输出级的功率管，以保证安全。 +VCC uO RL Re1 Re2 uI VT1 VT2 D1 D2 －VCC D3 Rb1 Rb2 D4 输出电流正常时，D3和D4截止，不起作用。 若流过功率管VT1的正向电流过大： IC1↑ URe1↑ D3导通 IB1↓ IC1↓ 若流过VT2的反向电流过大时同理。 采用过载保护时允许功率管输出的最大电流约为： Re越大则IEm越小。 6.2.4 输出级中的过载保护电路 +VCC uO RL Re1 Re2 uI VT1 VT2 D1 D2 －VCC VT3 Rb1 Rb2 VT4 输出电流正常时，VT3和VT4截止，不起作用。 若流过功率管VT1的正向电流过大： IC1↑ URe1↑ VT3导通 IB1↓ IC1↓ 若流过VT2的反向电流过大时同理。 采用过载保护时允许功率管输出的最大电流约为： Re越大则IEm越小。 另外如果温度升高，UBE（ UD ）降低，则IEm减小，即高温条件下在较小输出电流时过载保护电路就开始工作，更有利于保护在高温条件下工作的集成运放。 6.4 集成运算放大器的主要参数 6.4.1 直流性能指标 6.4.2 差模小信号性能指标 6.4.3 大信号工作的性能指标 6.4.4 电源性能指标 为使输出电压为0，在输入端所需要的直流补偿电压。 1、输入失调电压 Uio Uio的大小反映了运放差放输入级的不对称程度。 一般运放为 1 ~ 10 mV； 高质量运放为 1 mV 以下。 2、输入失调电压温漂 dUio / d T Uio的大小随温度的变化而变化。 一般运放为 每度±( 10 ~ 20 ) ?V； 高质量运放低于每度 1 ?V 以下。 6.4.1 直流性能指标 3、输入失调电流 Iio 当输入信号为零时，两个输入端静态偏置电流之差。 其值越小越好，几十nA pA 4、输入偏置电流 IIB 输入信号为零时，两个输入端静态偏置电流的平均值。 其值越小越好，0.几微安，pA 5、输入失调电流温漂 d Iio / d T 温度每变化单位值时引起输入失调电流的变化量。 nA% pA% * 第6章 集成运算放大器 第6章 集成运算放大器 6.1 集成运算放大器的特点及组成 6.2 集成运算放大器的单元电路 6.3 典型集成运算放大器介绍 6.4 集成运算放大器的主要参数 6.5 集成运算放大器的工作特性 　　集成电路是20世纪60年代初期发展起来的一种半导体器件，它是在半导体制造工艺的基础上，把整个电路的各个元件以及相互之间的连接线同时制造在一块半导体芯片上，实现了材料、元件和电路的统一。因此它的密度高、引线短，外部接线大为减少，从而提高了电子设备的可靠性和灵活性。 6.1.1 集成运算放大器的特点 6.1.2 集成运算放大器的组成 6.1 集成运算放大器的特点及组成 6.1.1 集成运算放大器的特点 由集成电路工艺制造出来的元器件，虽然其参数的精度不是很高，受温度的影响也比较大，但由于各有关元器件都同处在一个硅片上，距离又非常接近，因此对称性较好，特别适合制作对称结构的电路。 由集成电路工艺制造出来的电阻，其阻值范围有一定的局限性，一般在几十欧到几十千欧之间。 集成电路工艺不适于制造几十皮法以上的电容器，至于制造电感器就更困难。所以集成电路应尽量避免使用电容器。 大量使用晶体管作有源器件。 集成电路的芯片面积小，集成度