2012半导体物理第二章-1+.ppt

原子进入间隙位置须有较大能量 晶体中空位比间隙原子多得多 空位是常见的点缺陷 元素半导体硅、锗中存在的空位？ 如图: 空位最邻近有四个原子，每个原子各有一个不成对的电子，成为不饱和共价键，这些键倾向于接受电子。因此空位表现出受主作用。 每个间隙原子有四个可以失去的未形成共价键的电子，表现出施主作用（间隙式杂质也会起受主作用）。 III－V族化合物中 热振动因素形成空位和间隙原子 成分偏离正常的化学比，形成点缺陷 (砷化镓) 热振动使镓原子离开晶格点形成镓空位和镓间隙原子 使砷原子离开晶格点形成砷空位和砷间隙原子 如果组分中存在某组分偏多情况，如镓偏多或砷偏多，也能形成砷空位或镓空位(图2-15)。 缺陷起施主还是受主作用，无定论。 原因很简单，大多数元素都具有两种可能性，要考虑电活性。 实验测得 砷空位产生一受主能级为（Ev +0.12）eV，镓空位的两个受主能级为（Ev +0.01）eV及（Ev +0.18）eV，砷