2012半导体物理第二章-1.ppt

研究表明，杂质和主带中电子相互作用的结果会使靠近带边的电子状态向禁带中散开，形成所谓带尾．带尾的存在可以从重掺杂半导体吸收光谱观察到. 在简并半导体中，杂质浓度高，杂质原子相互间就比较靠近，导致杂质原子之间电子波函数发生交叠，使孤立的杂质能级扩展为能带，能带称为杂质能带。 杂质能带中的电子通过在杂质原子之间的共有化运动参加导电的理象称为杂质带导电。 由于杂质能级扩展为杂质能带，将杂质电离能减少，当掺杂浓度大于3×1018cm-3时，载流子冻析效应不再明显，杂质的电离能为零，电离率迅速上升到1。 所以 ，所谓禁带变窄效应: 因杂质能带进入了导带或价带，并与导带或价带相连，形成了新的简并能带，使能带的状态密度发生了变化，简并能带的尾部伸入到禁带中，称为带尾。导致禁带宽度由Eg减小为E′g，所以重掺杂时，禁带宽度变窄了，称为禁带变窄效应. Ncm-3 硅中B电离能与杂浓关系 用式（3-110）（3-111） 可计算n0 ，p0 ，但并未考虑禁带变窄效应，所以只能适用于掺杂浓度小于3×1018cm-3的情况。当掺杂浓度大于3×1018cm-3时，必须考虑禁带就窄效应的影响。 可见，简并时要完成定量计算困难，制约多，影响多。 重掺杂半导体材料的许多特性还没有完全被人所认识，至今尚