2013.9.26-27,第1章 半导体二极管和三极管.ppt

2013.9.26-27,第1章 半导体二极管和三极管

第五节、半导体三极管 2、放大区:曲线平坦部分       ?IB ?IC   特点: ①受控特性:IC受IB控制。  ②恒流特性:IB一定时,IC不随 ICE而变化。 ?uCE ?IC 三个工作区域 0 IB=0μA 20μA 40μA 60μA UCE/V IC/mA 放大区 3 6 9 12 1 2 3 4 曲线间距反映电流放大系数β      第五节、半导体三极管 0 UCE/(V) IC/(mA) 3、饱和区:曲线上升部分,UCE很小,UCE<UBE   特点:IC不受IB控制,失去放大作用。 IC1 IB1 IC2 IB2 ?IB ?IC 变化小,不成比例 饱和区 三个工作区域 UCES饱和压降 第五节、半导体三极管 三极管工作状态区分 反向偏置 正向偏置 反向偏置 c结 反向偏置 正向偏置 正向偏置 e结 截止区 饱和区 放大区 UCE= UCB+ UBE UCE UBE时:UCB为负,由反向偏置转为正向偏置。 UCE= UBE时:UCB为零; + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e 第五节、半导体三极管 一、三极管的结构 发射极e 基极b 集电极c 发射区 基区 发射结 集电结 集电区 b c e NPN型 N N P 第五节、半导体三极管 P P

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