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　第 19 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 5　 V o l N o 　1998 年 5 月　　　　　　 　　　　 　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay GTO 关断特性的 SP ICE 模拟 兀　革　　陈治明 ( 西安理工大学自动化与信息工程学院　西安　710048) 张昌利　　徐南屏 ( 西安电力电子技术研究所　西安　710061) 摘要　本文提出了用于模拟 GTO 关断特性的 SP ICE 等效电路模型. 根据器件的工作特性并 结合器件结构提取模型参数. 用此模型对 1000 2500 阳极短路型 的关断特性进行了 A V GTO 模拟, 包括关断电流拖尾现象在内的整个关断过程, 模拟结果与器件的测试结果吻合较好. : 2560 , 0260, 1210 PACC L 1　引言 随着 晶闸管( ) 性能的不断改进及其电路应用的不断推 GTO Gate T u rn O ff T hyristo r 广, 对其工作特性的精确模拟越来越重要. 对于只熟悉器件外特性, 对器件内部结构及工作 机理了解甚少的一般电路设计人员来说, 要为复杂器件建立等效电路模型, 确有许多困难. 以前的工作人员对GTO 建立了一系列等效电路模型. 其中, 以二极管为基本单元的等效电 路模型模拟精度高, 但是参数提取复杂, 对电路设计人员不太实用. 以晶体管为基本单元的 等效模型, 电路参数全部采用外特性提取, 对晶体管的内部参数未加提取. 所以, 整个参数提 取过程比较简单, 但模拟精度不高. 本文从电路应用的角度出发, 分析两种模型的优点, 以晶 体管模型为基础, 分析 GTO 关断过程与晶体管内部结构的关系, 考虑电容对动态特性的影 ( ) 响, 建立了以晶体管电容 2T 3R 3C 为基本单元的 GTO 等效电路模型. 采用外特性与内部 结构相结合的方法对电路参数和晶体管的内部参数进行提取. 根据 GTO 结构特点, 建立多单元并联的 GTO 等效电路模型. 这个模型不但具有模拟 精度高的优点, 而且模型参数提取比较简单. 采用此模型可以完整的模拟出 GTO 的整个关 断过程, 其中包括关断后的拖尾过程, 以前的模型无法模拟出拖尾过程. 模拟结果与实验结 果对比, 定量模拟误差很小. 此模型的建立, 为电路设计人员提供了很大的方便. 兀　革　女, 1971 年出生, 硕士, 研究方向为电力电子器件特性分析与器件设计 陈治明　男, 1945 年出生, 教授, 博士生导师, 从事半导体材料与器件研究 张昌利　男, 1958 年出生, 高级工程师, 从事电力电子器件研究 收到,定稿 5 期　　　　　　　　　　兀　革等: 　 关断特性的 模拟　　　　　　　　　　　 GTO SP ICE 363 在模型参数提取中, 建立了外特性和结构参数的关系. 所以可以通过外特性的要求