大功率led芯片及封装关键技术杨华.pptVIP

光学膜系设计 单一界面反射率由界面两侧介质光学导纳决定。 光学导纳：磁场分量与电场分量的比值。光波段数值上可以用介质的复折射率表示。 单层薄膜两个界面在数学上可以用一个等效的界面来表示。 多层膜堆同样可以用一虚拟的界面来替代。矩阵定义为基片和薄膜组合的特征矩阵。 矩阵方法推导计算（Born and Wolf, 1989; Coldrenand Corzine, 1995; Yariv, 1989; Bj?rk, 1995） 带宽由高低折射率材料折射率之差决定，仅仅依靠材料选择并不能满足LED对带宽的要求。 Half wavelength layer 全向、宽带光学膜组的设计，通常依靠数值优化技术对初始设计不断优化、拟合，才能生成满足设计要求的膜组结构。 Half-wave layer will not change T but can make the characristic broader Matching layer coupling layer ?波长膜堆所能得到的光学膜带宽仅决定于膜材料的折射率比值。目前应用于可见光区介质材料折射率1.3~2.6。因此单个1/4膜堆的带宽是有限的。 光学膜系应用 After optimazition the average transmittance of anti-reflection layer was about 95%. Compare with silver mirror EL intensity improved 10%. 提取效率各个方案之间的叠加1+12 特别是各个界面的粗化方案 3.3 小结 简要介绍了主流的LED电极设计和提高提取效率的工艺 Outline LED原理 主要技术路线 LED芯片工艺技术 芯片前沿技术展望 新型透明电极技术 ZnO Graphene 高效率垂直薄膜结构 4.1 新型透明电极技术 ZnO 低成本 高性能 石墨烯 超高导电性 4.1.1 ZnO 4.1.2 石墨烯 石墨烯用于LED透明电极 p-GaN@20mA ITO@20mA Graphene@20mA Graphene@100mA P-GaN、石墨烯(graphene)、ITO薄膜电流扩展能力对比 LED 电流-电压特性对比 LED 光功率-电流特性对比 4.2 高效率垂直薄膜结构 功率型垂直结构LED芯片核心工艺技术 垂直结构LED芯片 电流阻挡层技术 实验（制作三组样品）： 横向结构LED 垂直结构LED 有CBL的垂直结构LED 归一化的效率曲线 结果： 500mA时电流阻挡层将垂直结构LED的效率下降程度由48%减弱到21%。 氮面N型GaN表面粗化技术：腐蚀对比 结论： 光增强粗化能腐蚀有电子逃逸通道的氮面N型氮化镓 光电增强能腐蚀带PN结结构的氮面N型氮化镓 光增强腐蚀LLO template 光增强腐蚀LLO LED 光电增强腐蚀LLO LED 瞬态饱和测试 光输出曲线对比 电压分布 垂直与横向的电压对比 4.3 小结 简要介绍LED芯片技术的新进展 谢谢！ 联系方式： 杨 华 +86-010 huayang@semi.ac.cn 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体照明研发中心 电流密度的均匀性 综合考虑电功率效率与电流密度，200um左右是插指电极比较合理的宽度 3.1.2 电流阻挡层 光线吸收- pad位置 Design of high-efficiency GaN-based light emitting diodes with vertical injection geometry APPLIED PHYSICS LETTERS 91, 023510 2007 Current blocking layer in GaN light-emitting diode Proc. SPIE Vol. 4445 Fabrication and simulation of ultraviolet AlGaInN light-emitting diodes Proc. of SPIE Vol. 6134 61340N-2 Improvement of the Light Output Power of GaN-Based Vertical Light Emitting Diodes by a Current Blocking Layer Electrochemical and Solid-State Letters, 13 7 H237-H239 2010 3.2 提取效率 3.2.1 透明电极技术 ITO为什么会导电：ITO薄膜的禁带宽度接近4ev，其导电依靠附加能级上的电子和空穴的激发，