电工学下册课件第1章 常用半导体器件.ppt

2.N型半导体和 P 型半导体 3.PN结的形成 3.PN结的形成 4.PN结的单向导电性 加反向电压（反向偏置） 半导体三极管的型号 2. 伏安特性 3.二极管电路分析举例 例2. 单相桥式整流电路 1.3特殊二极管 1. 稳压二极管 稳压管的主要参数 1.4 晶体管（BJT） 1.基本结构 1.4 晶体管（BJT） 1.基本结构 2.电流分配和放大原理 三极管放大的外部条件 各电极电流关系及电流放大作用 4.BJT特性曲线 发射区和基区多子扩散形成发射极电流；集电区收集到的电子形成集电区的主要电流用IEN表示，还有集电区和基区的少子漂移电流ICBO合起来构成集电极电流。 发射区发射的电子在基区复合，以及基区空穴向发射区扩散共同形成的电流是基极的主要电流，但是还要减去基区与集电区少子漂移电流ICBO UZ稳定电压 IZ稳定电流 IZM最大稳定电流 ? UZ ? IZ 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此稳定电压特性，做成稳压管 _ + U I O 符号 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ 上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ ， VO的波形是怎样的？ 1.3稳压二极管 U I O IZ IZM UZ 动态电阻 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM 最大允许耗散功率 rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 1.3稳压二极管 U I O IZ IZM UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数 PZM = UZ IZM 稳定电压UZ 电压温度系数?u （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 1.3 特殊二极管 2. 光敏二极管 符号 光电传输系统 LED工作原理：发光二极管也具有单向导电性。当外加反向偏压，二极管截止不发光,当外加正向偏压，二极管导通，因流过正向电流而发光 1.3 特殊二极管 3. 发光二极管（LED) 符号： B E C B E C NPN型三极管 PNP型三极管 N N P 发射极 集电极 NPN型 B E C PNP型 P P N B E C 基极 发射极 集电极 基极 电流方向从P到N 要点回顾: 二极管的伏安特性 U I 二极管电路的分析方法 断开，分析阴极和阳极的电位 稳压管工作在反向击穿区 硅管0.5V 锗管0.2V 导通压降 硅0.7V 锗0.3V 死区电压 P N – + 反向击穿 电压U(BR) 符号： B E C B E C NPN型三极管 PNP型三极管 N N P 发射极 集电极 NPN型 B E C PNP型 P P N B E C 基极 发射极 集电极 基极 电流方向从P到N 基区：最薄， 一般在几个微米 至几十个微米 掺杂浓度很低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 管芯结构剖面图 EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 集电结反偏 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB B E C N N P P P N B E C VC VBVE VE VBVC 硅管|VBE|=0.7V 锗管|VBE|=0.3V VBVE VCVB 发射结正偏、集电结反偏 PNP NPN VC VBVE VE VBVC 硅管|VBE|=0.7V 锗管|VBE|=0.3V 测得放大电路中2只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 c b e N+ N P VEE VCC Re Rc 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 IE IB IC IE IEN ICBO 三极管内有两种载流子(自由电子和 空穴)参与导电，故称为双极型三极管。 或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 IBE 发射结 集电结 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系