semich11mos基础4频率5cmos2010copy.ppt

半导体物理与器件 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 张丽 第11章 MOSFET基础 11.4 频率限制特性 11.5 CMOS技术　11.6小结 1.4 频率特性 模型概述 为准确预测电路性能，利用计算机对电路进行仿真。 常用的电路分析软件如HSPICE、PSPICE、SPECTRE 仿真：围绕器件建立电路的IV关系。电路中各种元器件模型和模型参数影响了节点电流的最后输出值，即仿真结果） 构成器件模型的方法： （1）以元器件的工作原理为基础，得到元器件 的数学方程式。 （2）把元器件看成一个“黑箱”，测量其端点的工作特性，得到一 个等效电路代替相应的器件 1.4 频率特性 MOSFET常用等效电路 1.4 频率特性 MOSFET基本模型参数 1.4 频率特性 提高频率特性途径 提高迁移率（100方向，工艺优质） 缩短L 减小寄生电容（硅栅基本取代了铝栅） 跨导 CMOS（Complentary MOS，互补CMOS） n沟MOSFET与p沟MOSFET互补 实现低功耗、全电平摆幅 数字逻辑电路的首选工艺 1.5 开关特性 CMOS反相器 1.5 开关特性 CMOS反相器 1.5 开关特性 版图 1.5 开关特性 MOSFET版图 1.5 开关特性 反相器版图 1.5 开关特性 CMOS与非门 1.5 开关特性 CMOS或非门 MOSFET是一种表面性器件，工作电流延表面横向流动，所以器件特性强烈依赖于沟道表面尺寸W、L。L越小，截止频率和跨导越大，集成度越高。 FET仅多子参与导电，无少子存贮、扩散、复合效应（双极里讲过），开关速度高，适于高频高速工作 MOSFET的栅源间有绝缘介质，所以为电容性高输入阻抗，可用来存储信息。（存储电路，mosfet） Sb,db处于反偏（至少0偏），同一衬底上的多MOSFET可实现自隔离效果。 硅栅基本取代了铝栅，可实现自对准，减小器件尺寸，提高集成度。 MOS电容是MOSFET的核心。随表面势的不同，半导体表面可以处于堆积、平带、耗尽、本征、弱反型、强反型等状态。 MOSFET导通时工作在强反型状态 栅压、功函数差、氧化层电荷都会引起半导体表面能带的弯曲或表面势。 表面处于平带时的栅压为平带电压，使表面处于强反型的栅压为阈值电压。阈值电压与平带电压、半导体掺杂浓度、氧化层电荷、氧化层厚度等有关。 C-V曲线常用于表征MOS电容的性质，氧化层电荷使C-V曲线平移，界面陷阱使C-V曲线变缓 MOSFET根据栅压的变化可以处于导通（强反型）或者截止状态，故可用作开关；加在栅源上的信号电压的微小变化可以引起漏源电流的较大变化，故可用作放大。 11.1 MOS电容 场效应管通常有哪三个电极？作为放大管使用时，输入信号（或者控制信号）通常加在哪个极？输出信号（或者被控制信号）通常加在哪个极？ 在集成电路所采用的MOS结构中，M、O、S通常采用何种材料？ 什么叫半导体的表面势？有哪些原因可能引起半导体的表面势？ 改变MOS电容二端的电压时，半导体表面可能会处于哪几种状态？ 请说明平带电压和阈值电压的区别。 重要术语解释 重要术语解释 知识点 复习题 END 11.6 小结 1 11.6 小结 2 11.6 小结 3 MOSFET可以分为n沟道、p沟道，增强型、耗尽型。对于不同类型的MOSFET，栅源电压、漏源电压、阈值电压的极性不同。 特性曲线和特性函数是描述MOSFET电流-电压特性的主要方式。跨导和截止频率是表征MOSFET性质的两个最重要的参数。 根