发光二极管和激光二极管-需讲.ppt

定义：半导体p-n结或与其类似的结构加电压时以高效率发光的 器件。Light emitting diode , LED 二十世纪90年代才研制出高亮度LED。 颜色：紫外、紫光、蓝光、绿光、黄光、橙光、红光、红外、 白光 / LED水下灯饰 白光LED发光原理  提高复合几率（內量子效率）:量子阱结构 提高出光效率 (1)发光波长（λ）；一般用nm表示。 (2)正向电压:20mA时所用电压；一般用Vf 。 (3)输出光功率: 20mA时的输出光功率，用mW，W表示。 20mA时的输出光功率，单位：坎德拉，cd；mcd； 照明光源：流明/瓦；lm/W； 白炽灯（25lm/W）； 日光灯（80lm/W） (4)反向漏电流：反向5伏或10伏时的反向电流。 LED外延片结构：同质结、异质结、双异质结、 量子阱、量子点 发光二极管材料的选择： 1. 带隙宽度合适 2.有合适的衬底材料 3. 可获得高电导率n型和p型材料 4. 载流子复合几率大,可获得异质 结或量子阱结构 增加外量子效率：厚的窗口层及透明基板 表面编织 改变芯片几何形状 采用光子晶体技术 * South China Normal University * South China Normal University * South China Normal University △§4.5 半导体器件 p-n结的适当组合可以作成具有放大作用的晶体三极管（trasistor）和其他一些半导体器件。 集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路 晶体管 （ 1947 ） （1962 ） （80年代 ） 103 105 甚大规模集成电路 巨大规模集成电路 107 109 （70年代 ） （90年代 ） （现在） 每一个集成块（图中一个长方形部分）约为手指甲大小，它有300多万个三极管。 INMOS T900 微处理器 晶体管的发明 1947年12月23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出世界上第一只具有放大作用的点接触型晶体三极管。 1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。 巴丁 J.Bardeen 布拉顿 W.H.Brattain 肖克利 W.Shockley 半导体发光二极管 1、发光二极管定义和应用 根据应用划分的超高亮度发光二极管市场 LED照明的会议室 汽车灯 草坪灯 LED特点：电压低，小于5伏； 响应时间短，几十 nS； 寿命长，几万小时以上; 耗能低； 无污染 LED应用：背光源、大屏幕显示、灯具、防伪、生物、医学 白光LED流明效率达到150流明/瓦（ lm/W） 流明效率已经超过日光灯（80lm/W) 在电流作用下，n型层的电子和p型层的空穴发生扩散，电子和空穴复合发光。 2、LED发光原理 可见光波长：380nm～770nm(700nm), 发光二极管波长：紫:380-410nm; 蓝:430-480nm; 绿:510-550nm; 黄:570-600nm; 红:620-700nm 发光波长由光子能量决定,光子能量一般由禁带宽度决定 光子能量:E= hυ υ：频率，h：普朗克常数 （4.14×10-15eV·s） 发光波长:λ=c/υ=hc/E=1240/E（nm） 禁带宽度2.0eV, 发光波长：620nm 1:蓝光芯片激发黄光荧光粉: 成本低,应用最广 2:紫光或紫外光芯片激发蓝,黄,红荧光粉 芯片发光效率不高 3:红,绿,蓝芯片组合 成本高,高档场所应用 注入的电子和空穴数目； 非辐射复合中心的数目； 辐射复合几率； 出光效率 3、决定LED强度因素 hv n p 获得较高载流子浓度的p型和n型材料； 减少缺陷和杂质浓度； 提高电子和空穴的复合几率； 提高出光效率。 4