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LED的发光原理及主要技术参数的测量方法 07普本电信一班 李 蓬 070102031 LED概述 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附 ?? 在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。 ?? 图1.2 LED芯片基本结构 LED发光原理 LED是由Ⅲ—Ⅴ元素化合物， 如GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成，其核心是PN结。当正向偏置电压时势垒下降，P区和N区的多数载流子向对方扩散，由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以，出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入，这些电子与价带上空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放出来，这就是PN结发光的原理。在正向导通之前，LED中几乎无电流流过，当电压超过开启电压时，电流就急剧上升，因此LED属于电流控制型半导体器件，其发光亮L与正向电流IF近似成正比，L为发光亮度单位每平方米为比例系数，在小范围内IF=1～10mA。当时，，为LED的伏安特性具有非线性，单向导电性，外加正偏压表现为低电阻，反之为高电阻。 图 LED的I-V特性曲线 GaAs 1V，GaAsP 1.2V，GaP 1.8V,GaN 2.5V。 ②正向工作区，工作电流IF与外加电压呈指数关系 其中：为反向饱和电流 在正向工作区，，,LED ,环境温度升高将下降。 正向伏安特性：在正向电压小于某一值（阈值）时，电流极小，不发光，当超过某一值后，正向电流随电压迅速增加而使LED发光，正向反向漏电流。 LED伏安特性模型可用下式表示： 为 LED启动电压，为伏安曲线斜率，T-环境温度，为LED正向电压的温度系数，-2V/℃。 图LED启动电压—电流关系图 ，GaN, 。 ④反向击穿区 （反向击穿电压），不同材料的LED反向击穿电压不同。 2）C—V特性： LED的特性如图2.5所示，呈二次函数关系，结面积大小不一，电容（零偏压）C=n pF。 图LED的C-V特性曲线 允许功耗P 4）响应时间： 显示器跟外部信息变化快慢，LCD液晶显示响应时间,CRT、PDP、LED为，GaAS小于，GaP为，因此可应用于高频系统中。 LED的光学特性 3.2.1 发光强度（法向光强）是表征发光器件发光强弱的重要性能。LED大量应用要求是圆柱、圆球封装，由于凸透镜的作用，故都具有很强指向性：位于法向方向光强最大，其与水平面交角为90°。当偏离正法向不同θ角度，光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。 发光强度的角分布Iθ是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。它主要取决于封装的工艺为6° 3.2.2 发光峰值波长及其光谱分布图 LED光谱分布 LED发光强度或光功率输出随着波长变化而不同，绘成一条分布曲线——光谱分布曲线。当此曲线确定之后，器件的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。 谱线宽度：在LED谱线的峰值两侧±λ处，存在两个光强等于峰值（最大光强度）一半的点，此两点分别对应λp-λ，λp+λ之间宽度叫谱线宽度，也称半功率宽度或半高宽度。 主波长：有的LED发光不单是单一色，即不仅有一个峰值波长；甚至有多个峰值，并非单色光。为此描述LED色度特性而引入主波长。主波长就是人眼所能观察到的，由LED发出主要单色光的波长。单色性越好，则λp也就是主波长。 光通量 ??? 光通量F是表征LED总光输出的辐射能量，它标志器件的性能优劣。F为LED向各个方向发光的能量之和，它与工作电流直接有关。随着电流增加，LED光通量随之增大。可见光LED的光通量单位为流明（lm）。对于1mm×1mm的功率级芯片制成白光LED，其F=18 lm。 3.2.4 发光效率和视觉灵敏度 发光效率——量子效率η=发射的光子数/pn结载流子数=（e/hcI）∫λPλdλ若输入能量为W=UI，则发光能量效率ηP=P/W若光子能量hc=ev,则η≈ηP ，则总光通F=（F/P）P=KηPW 式中K= 视觉灵敏度是使用照明与光度学中一些参量。人的视觉灵敏度在λ = 555nm处有一个最大值680 lm/w。若视觉灵敏度记为Kλ，则发光能量P与可见光通量F之间关系为 P=∫Pλdλ ； F=∫KλPλdλ 发光亮度 亮度是LED发光性能又一重要参数，具有很强方向性。其正法线方向的亮度BO=IO/A，指定某方向上发光体表面亮度等于发光