物性型传感器-商运达.PPT

075507550755图4-29 电荷耦合器的结构原理 　　3.光敏电阻 　　光敏电阻又称光导管，是一种均质半导体光电元件，当光照射时其电阻值降低。将其与一电阻串联并接到电源上， 便可把光信号变成电信号。  　　按光谱特性及最佳工作波长范围分类， 可有紫外光、 可见光及红外光光敏电阻类。 CdS光敏电阻覆盖了紫外光和可见光范围，其典型结构如图4-19所示。 将CdS粉末烧结在陶瓷衬底上，形成一层CdS膜，用两根引线引出。为防止光敏电阻芯片受潮，均需采用密封结构，常用金属外壳、塑料或防潮涂料等密封。常用光敏电阻的性能参数见表4-8。 图4-19 光敏电阻的结构 (a) 电路符号； (b) 结构图 表4-8 MG型光敏电阻的性能参数 　　4. 光电池 　　光电池也称太阳能电池， 有硒光电池、 硅光电池及砷化镓光电池等。目前发展最快， 应用最广的是单晶硅及非晶硅光电池。其形状有圆形、 方形、矩形、 三角形或六角形等。 硅光电池的频率特性优于硒光电池。 硅光电池的光谱响应峰值波长约为800 nm，适于接受红外光； 硒光电池的光谱响应峰值波长在540 nm，适于接受可见光； 砷化镓光电池光谱响应特性与太阳光最吻合， 适合用作宇航电源。 　　常用的硅光电池是在N型硅片上扩散硼形成P型层，分别引出电极，再将受光面氧化以形成SiO2保护膜即成。当光照射PN结时，如果光子能量足够大，就在结区附近激发出电子-空穴对， 载流子的运动平衡被打破，P区电子进入N区，N区空穴进入P区，N区因电子集结带负电，P区因空穴集结带正电，两端出现电位差， 即光生电动势。应用最广的2CR为N型单晶硅，2DR为P型单晶硅。  　　图4-20(b)是硅光电池开路电压及短路电流与光照度的关系曲线，可见开路电压U与照度E间成非线性关系。当E1000 Lx时，光生电压开始进入饱和状态, 用于低照度检测并使负载电阻尽量大；而短路电流I与光照度E之间成线性关系，可用于高照度检测并使负载电阻应尽量接近短路状态。 图4-20 硅光电池的电路符号与光照特性 (a) 电路符号； (b) 光照特性 表4-9 2CR型硅光电池的特性参数 　　5. 光敏管 　　1）光敏二极管  　　光敏二极管与普通半导体二极管的主要区别在于PN结面积较大、 距表面较浅， 上电极较小， 利于接受光照射以提高光电转换效率。 如前所述， 它的工作机理是光生电动势效应， 即当受到光照时，半导体本征载流子浓度增加，在P区和N区均为少数载流子，在PN结势垒作用下，分别向对方区域漂移。 此时若将两端短路，便构成短路光电流；若两端开路或接负载， 则输出光生电势； 若加外电场， 则反向饱和电流增加。 　　光敏二极管正向伏安特性与普通二极管相似， 光电流不明显； 反向特性受光照控制。 因此， 光敏二极管一般加反向偏置电压， 利用反向饱和电流随光照强弱而变化进行工作。 　　光敏二极管的种类很多。 按制作材料来分， 有硅光敏二极管(2CU、2DU类)， 锗光敏二极管（2AU类）； 按不同峰值波长来分，有近红外光硅光敏二极管， 如对红外光最敏感的锂漂移性硅光敏二极管， 蓝光光敏二极管等； 其他还有用于激光的PIN型硅光敏二极管（日本产SPD、 S、MP、 MBC、 SP、 PP、 TP、 PD、 PH、 TPS、 M等多种系列，国产2CU101、 2CU201等）和灵敏度更高的雪崩光敏二极管等。 国产光敏二极管一般有2CU和2DU两种， 常用2CU型。 表4-10给出了几种类型的光敏二极管的主要技术参数及其主要用途。 表4-10 一些国产光敏二极管的主要技术参数 图4-21 光敏二极管电路符号和外形 图4-22 光敏二极管应用电路 （a) 亮通电路； （b) 暗通电路 　　2） 光敏晶体管  　　光敏晶体管与普通晶体管类似，但发射区较小，当光照射到发射结上时，产生基极光电流IL，集电极电流IC＝βIL， 显然集电极电流IC正比于照射光的强度。  　　光敏三极管的电路符号及基本应用电路如图4-23所示。 国产光敏三极管的型号主要有3AU、 3DU、 ZL系列，日本型号有TPS、 PT、 PPT、 PH、 PS、 PN、 T等系列。 表4-11列出了国产光敏三极管的特性参数。 图4-23 光敏三极管电路符号及应用电路 （a） 电路符号； （b） 基本应用电路 表4-11 国产光敏三极管的特性参数 　　3） 光敏晶闸管  　　光敏晶闸管和普通晶闸管的惟一不同之处就是门极控制信号。 普通晶闸管的门极控制信号为一外加正向电压， 而光敏晶闸管的门极控制信号为光照， 如图4-24所示。当光照射PN结时， 由光电流控制晶闸管导通；