铜互连中sicofa-cf双层低介电常数薄膜的制备和表征 synthesis and characterization of sicofa-c f double-layer films with low dielectric constant for copper interconnects.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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铜互连中sicofa-cf双层低介电常数薄膜的制备和表征 synthesis and characterization of sicofa-c f double-layer films with low dielectric constant for copper interconnects.pdf

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铜互连中sicofa-cf双层低介电常数薄膜的制备和表征 synthesis and characterization of sicofa-c f double-layer films with low dielectric constant for copper interconnects

第27卷第3期半导体学报 vol|27No3 2006年3月 CHINESEJoURNALOFsEMICoNDuCToRS Mar．，2006 andCharacterizationof Films SiCOF／a-C：F Synthesis Double-Layer with Constantfor Interconnects+ Low，Dielectric Copper Wei+，ZhuLian，Sun Zhang Qingqing，LuH0ngliang，andDingShijin o，Microelectronica，Fudan (Department Universily，Shanghai200433，China) Abstract：Anovel filmof witha10wdielectricconstantis aPECVD double-layerSiCOF／a．C：F depositedusing chemical is with system．The structureofthefilmcharacterizedFouriertransforminfrared Themeasurementsofthe thatthe filmrefractiveindexreveal dielectricconstant(n2)ofthe opticalfrequency filmisalmostconstantasa functionofair time，however，with exposure increasingannealingtemperature，the valueof^2forthefilmdecreases．PossiblemechanismsarediscussedindetalI．The ofSIMS for analysis profiles themetal·insulator-siliconstructuresrevealthati11the structure，thecausesaalore Al／a—C：F／Si annealing rapid ofFinA1i11 with isno diffusion C，butthere obviousdifferenceinSiInaddition，no comparison recognizable existsbetweenSiCOFanda．C：F SicoF films，andthe filmactsasaberrier thediffusionofcarbon vetge against intotheal