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铜铟硒薄膜太阳电池的研究进展 沈辉，陈菊芳，邦广富 沉j{f!或三步法沉积得到富铜或贫铜层，改善结的电学降能，得 到良好的微观结构和满意的光电性能 13前实验窜的最高转 换敞率已经达到195％t…，枉聚光条什下(14叶、太刚的光强) 效率达到215％f8i，组件的效率已经超过13％． 1铜铟镓硒薄膜太阳电池的制作工艺 吸收层的制作是至关重要的，制作的方法也多种多样，电 沉积RⅧ、蒸发、溅射、印刷等这些方法将在下面作一些介绍： 电沉积的优点足：(1)方法简单，成奉低，不需要复杂昂 有毒气体。西想使用这种方法，如下的问题需要解决：(1)溶 液的稳定性：(2)随着反府的进行，溶液中的离子浓度发牛变 化，辑种离予在溶液rrl的动力学规律有待研究；(3)这种方法 作者近照 的一个普遍问题是火面积薄膜的均匀性问题，如何挣制Ga、 s．Wagner等…在1974年第一次报道了单晶CIS凡阳电 的影响是很大的；(4)这种方法的沉积速度很低，如何提高沉 池，其效率为125％。1976年，美H的LLKazmercki发表r第 积速度也是需璎解决的问题。虽然这种方法有如此多的优点， ·块效率为66％的薄膜CIS／CdS太阳电池“。198l印，一个 1 巨大的突破是Boeing公司报道采用两步燕发沉积的方法制实验搴的效率也达到r 2,2％，但沉积速率低和膜均匀性差 作的多晶CIS薄膜电池效率达到9 仍是它的敏命缺点。 5％t“。很快Boeing公司又 真空蒸发同为其自身的优点而设广泛地应用。蒸发法制 于1982_年报道了采用zn￡d。5代替CdS，效率提高全 备CIGS吸收层足最成熟的方法．一般采用先蒸发后硒化的方 10％E”。Boeing公司采用的是沉积两层CIS，也就是众所J爿知 rthsolar采用蒸发后硒化曲次的方法 法，目前有德围的W0 的“Boeing”两层T艺==Boeing公司采用掺杂或没有掺杂的3 制备电池具有最高效率的电池也是用这种方法做出来的一蒸 ／xm厚CdS。1985年，一个采用一薄层CdS和一层ZnO做为 窗口层的新结构…现了．”i，这种结构政善了电池的短波响应= 发法有四种元素同时蒸发的 步法…．电有所渭的阿步 这个结构也是目前CIS基电池的基本结构，如罔1，其巾铜铟 法呤”1和三步法畔”】，三步法是两步法的改进这种方法的优点 镓硒(fIGS)为吸收层，CdS为过渡层，ZnO为窗口层。是得到的薄膜致密均匀，成分可以调控，但是设备的成4‘高 1988年，一