图形反转工艺用于金属层剥离的研究 image reverse technique for research of metal lift-off.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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图形反转工艺用于金属层剥离的研究 image reverse technique for research of metal lift-off.pdf

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图形反转工艺用于金属层剥离的研究 image reverse technique for research of metal lift-off

。olunln步俨技1ecla术nolo然gy doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2009．06．004 图形反转工艺用于金属层剥离的研究陈德鹅，吴志明，李伟，王军，袁凯，蒋亚东 (电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054) 摘要：研究了Az．5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面，倾角约为60。，胶厚1．4“m。得到了优化 000 的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数：匀胶转速4 r／min，前烘温度100℃，时间60S，曝光时间O．3S，反转烘温度110℃，时间90S，泛曝光时间2S，显影时间50S。用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率，同时对图形反转机理进行了讨论。关键词：光刻；AZ．5214；剥离工艺；图形反转；断面模拟中图分类号：TN305文献标识码：A 文章编号：1003—353X(2009)06．0535．04 Reverse forResearchofMetalLift-of!f Image Technique Chen De’e，Wu Jun，Yuan Zhiming，LiWei，Wang Kai，JiangYadong ElectronicThinFilmsand (StateKeyLaboratoryof IntegratedDevices，SchoolofOptoelectronic ElectronicScienceand 610054，China) Information，Universityof TechnologyofChina，Chengdu AZ-5214 from to andthe of Abstract：Transformationof photoresistpositivenegativepattems technology were waSsuitableforexfoliationcorrosion in producingreversed—trapezoidshape studied，which technique micmelectmnicsdevices．SEMand testsshowthe of manufacturing stepprofiler reversed-trapezoidshape is1．4 about iswith and thickness photoresistpatterns 60。obliquityphotoresist ktm．Optimumparameters of rotation is 4000 is preparationreversed—trapezoidpatternsare：coating speed r／min，pre-bake 100℃／60 timeis0